Qorvo QPD2120D 1200µm分立式GaAs pHEMT
Qorvo QPD2120D 1200µm 分立式GaAs pHEMT（假晶高电子迁移率晶体管）的工作频率范围为直流至20GHz。通常情况下，QPD2120D的输出功率为31dBm（P1dB时），增益为11.5dB，功率附加效率为57%（1dB压缩时）。得益于该性能，QPD2120D适合用于高效率应用。
QPD2120D设计采用0.25µm功率pHEMT生产工艺。该工艺在高漏极偏置工作条件下通过先进的技术优化微波功率和效率。
Qorvo QPD2120D GaAs pHEMT采用0.41mm x 0.54mm x 0.10mm裸片。该器件采用带氮化硅的保护层，可提供环境稳健性和防刮痕保护。
特性
频率范围：直流至20GHz
P1dB输出功率：31dBm（典型值）
增益：11dB（12GHz时典型值）
PAE：57%（12GHz时典型值）
噪声系数：1dB（12GHz时典型值）
漏极电压：8V
漏极电流：194mA
0.25µm GaAs pHEMT技术
裸片尺寸：0.41mm x 0.54mm x 0.10mm
无卤、无铅、符合RoHS指令
应用
通信
雷达
点对点无线电
卫星通信
