WNM2025-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

WNM2025-VB是VBsemi品牌的N沟道SOT23型MOSFET，工作电压20V，电流能力6A，导通时内阻为24mΩ@VGS=4.5V，VGS=8V。阈值电压范围为0.45~1V。封装为SOT23。

**详细参数说明：**
- 电压：20V
- 电流：6A
- RDS(ON)：24mΩ@VGS=4.5V，VGS=8V
- 阈值电压：0.45~1V
- 封装：SOT23

**应用简介：**
WNM2025-VB适用于各种电源模块、电池保护模块、稳压器模块等领域。在电源管理系统中，可提供高效的开关控制，广泛用于便携式电子设备、电动工具、充电设备等。其低导通电阻和高开关速度使其成为电源转换和功率放大的理想选择。

**主要应用领域和模块：**
1. **电源模块：** 用于稳压和开关电源模块。
2. **电池保护模块：** 用于电池管理系统，提供过电流和过温度保护。
3. **稳压器模块：** 在稳压器电路中实现高效能的电压调节。

WNM2025-VB的优越性能使其在各种电子设备中发挥关键作用，确保高效、可靠的电源管理。