企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 81 粉丝

TP0610T-T1-E3-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: TP0610T-T1-E3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 SOT23封装
  • 沟道 P—Channel

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

型号: TP0610T-T1-E3-VB

丝印: VB264K

品牌: VBsemi

参数:
- 封装类型: SOT23
- 沟道类型: P—Channel
- 最大承受电压: -60V
- 最大电流: -0.5A
- 开态电阻: RDS(ON) = 3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth = -1.87V

适用领域和模块:

1. **领域: 电源管理**
  - 模块: 低功耗电源开关
  - 应用: 适用于需要高效能耗管理的电源系统,如便携设备、嵌入式系统等。

2. **领域: 电机驱动**
  - 模块: 小型电机驱动器
  - 应用: 适用于需要精准电机控制的应用,如小型家电、自动化设备等。

3. **领域: LED照明**
  - 模块: LED驱动电路
  - 应用: 用于LED照明系统,提供稳定的电流控制,适用于室内和室外照明。

这些领域和模块仅为示例,实际应用取决于具体的电路设计和系统要求。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    847浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    681浏览量