企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 81 粉丝

STN3400S-TRG-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管

型号: STN3400S-TRG-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 SOT23封装
  • 沟道 N—Channel

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

**STN3400S-TRG-VB N-Channel MOSFET (SOT23)**

- **规格:**
 - 丝印:VB1330
 - 品牌:VBsemi
 - 封装:SOT23
 - 类型:N-Channel 沟道
 - 额定电压:30V
 - 额定电流:6.5A
 - RDS(ON):30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
 - 阈值电压(Vth):1.2~2.2V

- **特性:**
 - 小型SOT23封装,适用于有限空间的设计。
 - N-Channel沟道类型,适用于增强型功率MOSFET。
 - 低导通电阻(RDS(ON))以及高电流承载能力,提供高效能的性能。

- **应用简介:**
 - STN3400S-TRG-VB适用于各种电源和功率管理应用。
 - 在电源开关、稳压器、电池管理和DC-DC转换器等领域广泛应用。
 - 由于其小巧封装和高性能特性,适用于要求小型化和高功率密度的电子模块。

- **典型应用领域和模块:**
 1. **电源开关模块:** STN3400S-TRG-VB可用于设计紧凑型电源开关模块,提供高效且可靠的电源管理。
 
 2. **DC-DC转换器:** 适用于构建DC-DC转换器模块,实现不同电压之间的高效转换。

 3. **电池管理系统:** 在电池管理系统中,STN3400S-TRG-VB可以用于控制充电和放电过程,以及确保电池系统的高效运行。

这款STN3400S-TRG-VB N-Channel MOSFET适用于要求高性能、小型化和高功率密度的电源和功率管理应用。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    847浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    681浏览量