企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 81 粉丝

STM8456-VB一款SOP8封装N+P—Channel场效应MOS管

型号: STM8456-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 SOP8封装
  • 沟道 N+P—Channel

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

型号:STM8456-VB  
丝印:VBA5638  
品牌:VBsemi  
参数:
- N+P—Channel沟道
- 最大工作电压:±60V
- 最大工作电流:6.5A (正向) / 5A (反向)
- 漏源电阻:RDS(ON)=28mΩ (正向) / 51mΩ (反向) @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压:Vth=±1.9V
封装:SOP8  

**详细参数说明:**
该器件采用N+P—Channel沟道结构,适用于最大±60V的工作电压,可承受6.5A(正向)和5A(反向)的最大工作电流。漏源电阻在VGS=10V和VGS=20V时分别为28mΩ和51mΩ。阈值电压为±1.9V。封装为SOP8。

**应用简介:**
该器件适用于需要高电压和高电流特性的功率控制和开关应用。以下是一些可能的应用领域:
- 电动车电源模块:用于电动车的电池管理系统和电机控制。
- 工业自动化模块:适用于大型机器设备的电源开关和功率调节。
- 高压开关电路:用于控制高压设备和系统中的开关。
- 医疗设备模块:应用于医疗成像设备的电源管理和功率转换。

**示例应用场景:**
- 在电动车电源管理系统中,用于控制电池充放电和电机驱动。
- 在工业自动化中,用于控制大型机器设备的电源开关和功率调节。
- 在医疗成像设备中,用于控制X射线发生器的电源管理和功率转换。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    847浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    681浏览量