**SSM3K12T-VB**
- **丝印：** VB1330
- **品牌：** VBsemi
- **参数：**
- 封装：SOT23
- 沟道类型：N—Channel
- 额定电压：30V
- 额定电流：6.5A
- 开通电阻：RDS(ON) = 30mΩ @ VGS = 10V, VGS = 20V
- 阈值电压：Vth = 1.2~2.2V
- **应用简介：**
- **领域：** 电源管理、电源适配器、工业控制等。
- **模块应用：** 适用于SOT23封装的电路板和模块设计，特别在需要N沟道场效应晶体管的场景。
**详细参数说明：**
SSM3K12T-VB是一款N—Channel沟道场效应晶体管，专为电源管理、电源适配器和工业控制等领域设计。其采用SOT23封装，额定电压为30V，额定电流为6.5A，具有低开通电阻(RDS(ON) = 30mΩ)，在不同电压(VGS=10V、VGS=20V)下表现优异。阈值电压(Vth)在1.2~2.2V范围内，提供了设计的灵活性。
这款场效应晶体管适用于需要N沟道场效应晶体管的电源管理和工业控制电路。其可靠的性能和SOT23封装使其成为电子工程师在小型电路板和模块设计中的理想选择。
