--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23封装
- 沟道 N—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**VBsemi SQ2360EES-T1-GE3-VB**
- **详细参数说明:**
- 封装类型: SOT23
- 沟道类型: N—Channel
- 最大耐压: 60V
- 最大电流: 4A
- 开态电阻(RDS(ON)):
- 85mΩ @ VGS=10V
- 85mΩ @ VGS=20V
- 阈值电压(Vth): 1~3V

- **应用简介:**
- 适用于高性能电源管理、开关电源和功率放大应用。
- 具有较低的开态电阻,适用于对效率和功率密度要求较高的设计。
- **示例应用:**
1. **电源适配器模块:**
- 用于电源适配器输出端,提供高效的电源。
2. **开关电源模块:**
- 适用于构建高效的开关电源、DC-DC变换器。
3. **电机驱动模块:**
- 由于其N—Channel沟道和较低开态电阻,可用于电机驱动。
4. **功率放大器模块:**
- 在功率放大电路中,可用于提供高效能耗的放大。
- **其他说明:**
- 丝印: VB1695
- 品牌: VBsemi
**注意:** 在实际应用中,请查看详细的规格书,以确保器件符合您的电路设计要求。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12