--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23封装
- 沟道 P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**SPP2301S23RG-VB 详细参数说明:**
- **丝印:** VB2290
- **品牌:** VBsemi
- **封装:** SOT23
- **沟道类型:** P—Channel
- **最大承受电压:** -20V
- **最大漏极电流:** -4A
- **导通电阻:** RDS(ON) = 57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
- **阈值电压:** Vth = -0.81V

**应用简介:**
SPP2301S23RG-VB 是一款 P-Channel MOSFET,适用于要求高效能的电源开关和功率控制应用。其低导通电阻、高漏极电流和负责电压等特性,使其在电源管理、电池管理、DC-DC 转换器等领域得到广泛应用。
**举例说明:**
1. **电源开关模块:** SPP2301S23RG-VB 可以用于电源开关模块,通过控制电荷通道,实现电源的高效开关和功率调制。
2. **电池管理模块:** 在电池充电和放电管理中,SPP2301S23RG-VB 可以作为电荷开关,有效控制电池充电和放电过程。
3. **DC-DC 转换器:** 由于其低导通电阻和高漏极电流特性,SPP2301S23RG-VB 适用于构建高效能的 DC-DC 转换器。
4. **便携式电子设备:** 由于 SOT23 封装的小型设计,SPP2301S23RG-VB 可以广泛应用于便携式电子设备中,如智能手机、平板电脑等。
这些例子说明了 SPP2301S23RG-VB 在电源管理、电池管理和 DC-DC 转换等领域的适用性,其特性使其成为这些模块中的理想选择。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12