企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 81 粉丝

SMG2371P-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管

型号: SMG2371P-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 SOT23封装
  • 沟道 P—Channel

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

产品型号:SMG2371P-VB
丝印:VB2101K
品牌:VBsemi
参数:
- 封装:SOT23
- 沟道类型:P—Channel
- 最大电压:-100V
- 最大电流:-1.5A
- 开启电阻:RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V,VGS=20V
- 阈值电压:Vth=-2.5V

应用简介:
SMG2371P-VB是一款SOT23封装的P—Channel沟道MOSFET,适用于一些需要较高电压和低电流的应用场合。其特点在于较高的最大电压,适合一些对电压要求较高的电子设备。

示例应用领域:
1. 电源开关:适用于中低功率电源开关模块,要求较高电压的场合。
2. LED照明控制:可用于LED照明驱动模块,提供高电压的驱动能力。
3. 汽车电子:适合一些汽车电子模块,特别是对电压要求较高的应用。

请注意,具体的应用要根据实际电路设计需求进行确认。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    847浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    681浏览量