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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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SI4925DY-T1-E3-VB一款2个P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: SI4925DY-T1-E3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 SOP8封装
  • 沟道 P—Channel

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

**产品型号:** SI4925DY-T1-E3-VB  
**丝印:** VBA4338  
**品牌:** VBsemi  
**参数:**  
- 2个P-Channel沟道  
- 工作电压:-30V  
- 最大电流:-7A  
- 开启电阻:35mΩ @ VGS=10V, VGS=20V  
- 阈值电压:-1.5V  
**封装:** SOP8  

**详细参数说明:**  
SI4925DY-T1-E3-VB是一款P-Channel沟道场效应管,适用于负极性工作环境。其工作电压为-30V,最大电流可达-7A。在标准工作条件下,开启电阻为35mΩ。此外,该器件的阈值电压为-1.5V,适用于低电压驱动环境。

**应用简介:**  
SI4925DY-T1-E3-VB适用于多种领域和模块,包括但不限于:
1. 电源管理模块:可用于电源开关和逆变器等模块中,提供高效的电源管理和电压调节功能。
2. 汽车电子模块:可用于汽车电子系统中的电动机驱动、车灯控制和电池管理等功能。
3. 工业控制模块:适用于工业自动化控制系统中的电机控制、温度控制和电源逆变等应用。
4. 通信设备模块:可用于通信设备中的功率放大器、信号调节和直流-直流转换器等模块。

**举例说明:**  
在工业控制系统中,SI4925DY-T1-E3-VB可用作电机驱动模块中的功率开关管,用于实现对工业设备的高效控制和调节。此外,在电源管理模块中,该器件可用于电源开关控制器,实现对电源输出的开关控制和电压调节功能。

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