产品型号: SI4906DY-T1-E3-VB
丝印: VBA3638
品牌: VBsemi
参数:
- 通道数量: 2个N沟道
- 额定电压: 60V
- 最大电流: 6A
- 导通电阻: 27mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: 1.5V
封装: SOP8
详细参数说明:
SI4906DY-T1-E3-VB是VBsemi品牌推出的一款N沟道功率MOSFET，具有2个N沟道通道。其额定工作电压为60V，最大电流可达6A。在VGS=10V和VGS=20V时，导通电阻为27mΩ。阈值电压为1.5V，采用SOP8封装，方便安装和布局。
应用简介:
SI4906DY-T1-E3-VB适用于各种功率控制和开关应用，特别适用于需要较高电压和电流的电路。例如，可用于电源管理模块、直流-直流变换器、电机驱动器等领域。其低导通电阻和高额定电压可提高系统效率和性能，保证系统的稳定可靠工作。
