企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 81 粉丝

SI4569DY-T1-E3-VB一款N+P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: SI4569DY-T1-E3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 SOP8封装
  • 沟道 N+P—Channel

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

**产品型号:** SI4569DY-T1-E3-VB  
**丝印:** VBA5415  
**品牌:** VBsemi  
**参数:**  
- N+P—Channel沟道, ±40V
- 额定电流: 8A(N通道)/-7A(P通道)
- RDS(ON): 15mΩ @ VGS=10V, 19mΩ @ VGS=20V
- 阈值电压(Vth): ±1.8V  

**封装:** SOP8  

**应用简介:**  
SI4569DY-T1-E3-VB适用于要求高性能的电源管理和功率放大应用。其N+P-Channel沟道设计使其在多种场景下表现卓越。以下是一些适用领域和模块的示例:

1. **电源管理模块:**
  - 用于开关电源、电源逆变器和电源管理系统。
  - 由于其低阈值电压和低导通电阻,适用于高效率的电源控制。

2. **功率放大模块:**
  - 在音频放大器和功率放大器中发挥重要作用。
  - 高额定电流和低导通电阻使其适用于要求高功率输出的应用。

3. **工业自动化:**
  - 用于工业电机驱动和控制系统。
  - 能够处理高电压和大电流,适应工业环境的需求。

**举例说明:**
SI4569DY-T1-E3-VB可广泛用于电源管理模块、功率放大模块和工业自动化领域。例如,在高效的开关电源设计中,其低阈值电压和低导通电阻有助于提高系统效率。同时,在音频放大器中,其高额定电流能够满足对高功率输出的需求。在工业自动化中,其能够处理高电压和大电流的特性使其成为电机驱动和控制系统的理想选择。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    847浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    683浏览量