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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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微碧半导体VBsemi产品

  • AP9435K-VB-SOT223封装P沟道MOSFET2023-11-14 11:48

    产品型号:AP9435K-VB 类型:P沟道 最大耐压: -40V 最大工作电流: -6A 开导电阻: 42mΩ @ 10V,49mΩ @ 4.5V 最大门源电压:20Vgs
  • FDS4435A-NL-VB-SOP8封装 P沟道MOSFET2023-11-14 11:37

    产品型号:FDS4435A-NL-VB 类型: P沟道 额定电压 :-30V 额定电流 : -7A 门源极电压: 20Vgs(±V) 阈值电压 :-1.37Vth(V)
  • AP2307GN-VB-SOT23封装P沟道MOSFET2023-11-14 11:30

    产品型号:AP2307GN-VB 类型: P沟道 最大耐压: -20V 最大电流: -4A 静态开启电阻:57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V 门源极电压: 12V (±V)
  • AO3460-VB-SOT23封装N沟道MOSFET2023-11-14 11:18

    产品型号:AO3460-VB 类型: N沟道 额定电压: 60V 最大持续电流: 0.3A 导通电阻: 2800mΩ @ 10V 门源电压范围: 20V(正负)
  • FDC602P-VB-SOT23-6封装P沟道MOSFET2023-11-14 11:00

    产品型号:FDC602P-VB 极性 : P沟道 额定电压: -30V 额定电流:-4.8A 静态导通电阻:49mΩ @ 10V, 54mΩ @ 4.5V 门源极电压: -20V 至 20V
  • BUK7675-55A-VB-TO263封装N沟道MOSFET2023-11-14 10:53

    产品型号:BUK7675-55A-VB 类型 :N沟道 额定电压: 60V 最大持续电流:40A 导通电阻: 23mΩ @ 10V 门源电压范围: 20V(正负)
  • IRFU9024NPBF-VB-TO251封装P沟道MOSFET2023-11-14 10:43

    产品型号:IRFU9024NPBF-VB 类型 :P沟道 最大耐压: -60V 最大电流 : -25A 静态开启电阻: 66mΩ @ 10V, 80mΩ @ 4.5V 门源极电压 :20V (±V)
  • SI2347DS-T1-GE3-VB-SOT23封装P沟道MOSFET2023-11-14 10:34

    产品型号:SI2347DS-T1-GE3-VB 最大耐压 : -30V 最大电流: -5.6A 静态开启电阻:47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V 门源极电压:20V (±V) 阈值电压: -1V
  • SI2371EDS-T1-GE3-VB-SOT23封装P沟道MOSFET2023-11-14 10:19

    产品型号:SI2371EDS-T1-GE3-VB 类型 : P沟道 额定电压:-30V 最大持续电流: -5.6A 导通电阻:47mΩ @ 10V 门源电压范围:20V(正负)
  • IRLR3636TRPBF-VB-TO252封装N沟道MOSFET2023-11-14 10:09

    产品型号:IRLR3636TRPBF-VB 沟道类型: N沟道 最大耐压: 60V 最大持续电流 : 110A 开通电阻: 4.5mΩ @ 10Vgs、15mΩ @ 4.5Vgs 阈值电压: 2.8V