产品
-
芯控源高性能、低内阻N沟道功率场效应管-AGM405Q2026-05-07 11:50
产品型号：AGM405Q 漏源电压 VDSS：40V 栅源电压 VGSS：±20V 连续漏极电流 ID：55A (Tc=25℃)；33A (Tc 脉冲漏极电流 IDM：220A -
AGM芯控源P沟道功率MOSFET场效应管-AGM30P10A2026-05-07 10:57
产品型号：AGM30P10A 漏源电压 VDSS：-30V 栅源电压 VGSS：±20V 续漏极电流 ：-23A 脉冲漏极电流 IDM：-50A 工作结温 TJ：-55℃ ~ +150℃ -
AGMSEMI芯控源58A60V N沟道功率MOSFET场效应管-AGM605Q2026-05-06 15:41
产品型号：AGM605Q 型号： AGM605Q 类型 ：N沟道 漏源电压(Vdss)： 60V 连续漏极电流(Id)：58A 导通电阻 ：6.2m -
芯控源P沟道功率场效应管-AGM40P30A2026-04-30 15:57
产品型号：AGM40P30A 类型：P沟道增强型MOSFET 漏源击穿电压：-40V -
8位通用MCU单片机TX8C1261可替代CMS8S3680/CMS8S69902026-04-28 11:01
产品型号：TX8C1261 内核MCU：低功耗的8051内核MCU 工作主频最高：48MHz 定时器：6个16位高级定时器 蜂鸣器：1个 8位蜂鸣器 SPI接口：1个SPI接口 -
复旦微32位超低功耗 ARM Cortex M0 MCU单片机FM33FR0510替代R5F100P系统2026-04-18 10:44
产品型号：FM33FR0510 宽电压范围：：1.65~5.5V 工作温度范围（TA）：-40℃~+105℃ 内核 ：ARM Cortex-M0+ 最高主频：48Mhz 典型运行功耗：120uA/MHz@48Mhz -
复旦微国产32位单片机FM33LR025替代R5F100G系列2026-04-17 15:30
产品型号：FM33LR025 内核 ：ARM Cortex‑M0 主频 ：最高 48 MHz 工作电压 ：1.8 V ~ 5.5 V 工作温度 ：-40 ℃ ~ +85 ℃ 封装：LQFP48（7×7 mm） -
复旦微电子低功耗、高性价比32位触控MCU-FM33FR056替代R5F100L系列2026-04-17 14:17
产品型号：FM33FR056 内核：ARM Cortex‑M0（32 位） 主频：最高 48 MHz 工作电压：1.65 V ~ 5.5 V 工作温度：-40 ℃ ~ +85 ℃ 封装：LQFP64（7×7 mm） -
复旦微32位mcu芯片FM33LR024可替代R5F100F系列2026-04-10 15:27
产品型号：FM33LR024 宽电压范围：：2.2~5.5V 工作温度范围：-40℃~+105℃ ARM：Cortex-M0 最高主频：48MHz 典型运行功耗：150uA/MHz -
复旦微电子FM33FR054低功耗触控MCU替代瑞萨R5F100F系列2026-04-10 11:03
产品型号：FM33FR054 内核 ARM： Cortex‑M0，最高 48MHz 程序 Flash ：256KB（ECC 校验，10 万次擦写） 数据 Flash ：8KB（ECC 校验，50 万次擦写） RAM ：16KB（带奇偶校验）