产品
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50A 60V芯控源N沟道功率MOSFET场效应管-AGM612AP2026-05-09 16:21
产品型号：AGM612AP 沟道类型：N 沟道 漏源电压：60V 栅源电压：±20V 脉冲漏极电流：100A -
芯控源40A 60V的N沟道功率MOSFET场效应管-AGM609AP2026-05-09 11:21
产品型号：AGM609AP 沟道类型：N 沟道 漏源电压：60V 栅源电压：±20V 工作结温：-55℃ ~ +150℃ -
芯控源代理商授权供应高性能N沟道功率场效应管MOS管-AGM4025Q2026-05-09 10:09
产品型号：AGM4025Q 沟道类型：N 沟道 漏源电压 ：40V 栅源电压 ：±20V 工作结温 ：-55℃ ~ +150℃ -
AGM-芯控源N沟道功率场效应管MOSFET-AGM1010A22026-05-07 14:44
产品型号：AGM1010A2 -
芯控源高性能、低内阻N沟道功率场效应管-AGM405Q2026-05-07 11:50
产品型号：AGM405Q 漏源电压 VDSS：40V 栅源电压 VGSS：±20V 连续漏极电流 ID：55A (Tc=25℃)；33A (Tc 脉冲漏极电流 IDM：220A -
AGM芯控源P沟道功率MOSFET场效应管-AGM30P10A2026-05-07 10:57
产品型号：AGM30P10A 漏源电压 VDSS：-30V 栅源电压 VGSS：±20V 续漏极电流 ：-23A 脉冲漏极电流 IDM：-50A 工作结温 TJ：-55℃ ~ +150℃ -
AGMSEMI芯控源58A60V N沟道功率MOSFET场效应管-AGM605Q2026-05-06 15:41
产品型号：AGM605Q 型号： AGM605Q 类型 ：N沟道 漏源电压(Vdss)： 60V 连续漏极电流(Id)：58A 导通电阻 ：6.2m -
芯控源P沟道功率场效应管-AGM40P30A2026-04-30 15:57
产品型号：AGM40P30A 类型：P沟道增强型MOSFET 漏源击穿电压：-40V -
8位通用MCU单片机TX8C1261可替代CMS8S3680/CMS8S69902026-04-28 11:01
产品型号：TX8C1261 内核MCU：低功耗的8051内核MCU 工作主频最高：48MHz 定时器：6个16位高级定时器 蜂鸣器：1个 8位蜂鸣器 SPI接口：1个SPI接口 -
复旦微32位超低功耗 ARM Cortex M0 MCU单片机FM33FR0510替代R5F100P系统2026-04-18 10:44
产品型号：FM33FR0510 宽电压范围：：1.65~5.5V 工作温度范围（TA）：-40℃~+105℃ 内核 ：ARM Cortex-M0+ 最高主频：48Mhz 典型运行功耗：120uA/MHz@48Mhz