产品
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国硅集成250V 1.2A 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片-G20212025-10-16 15:19
产品型号：G2021 最高工作电压为：+250V dVS/dt耐受能力：±50 V/ns 负偏压能力达：-9V 栅极驱动电压：6 V 到 20V 宽温度范围：-40°C ~125°C -
芯朋微65W氮化镓充电器快充开关电源管理芯片方案2025-09-28 15:31
产品型号： PN8213 模式：PWM Controller 待机功耗：<50mW VDD工作电压 ：9V-56V 输出功率 ：<150W 频率：500kHz(Ma x.) -
芯朋微PN8215主控芯片140W氮化镓充电器芯片2025-09-26 11:36
产品型号：PN8215 -
芯朋微代理商acdc非隔离电源芯片PN8052H2025-09-16 13:47
产品型号：PN8052H MOIS管耐压：700V 输出电压：15V 半封闭式稳态输出功率：3.0W@230VAC 封装：SOP8 -
国硅集成 NSG27710单相高低侧功率栅极驱动芯片2025-09-05 16:39
产品型号：NSG27710 芯片耐压：650V 输入逻辑：兼容3.3V, 5V和15V 延迟匹配时间小于：50ns 死区时间：130ns 宽温度范围：-40°C-125°C -
NSG21867 国硅集成700V 大电流高、低侧 MOSFET/IGBT驱动芯片2025-09-04 15:20
产品型号：NSG21867 最高工作电压为：700V Vs负压耐受能力：-9V 栅极驱动电压：10V到20V 拉电流：4.0A 灌电流：4.0A -
国硅集成NSG2153D 600V自振荡半桥MOSFET/IGBT电机驱动芯片2025-09-04 10:10
产品型号：NSG2153D 最高工作电压为：+600V VCC钳位电压：15.6V 正/负欠压阈值：11V/9V 死区时间DT：1.1μs 输出级拉电流：1.2A -
国硅集成NSG2065Q 250V 集成自举的三相栅极驱动芯片应用于电机驱动2025-09-02 10:48
产品型号：NSG2065Q 型号 ：NSG2065 封装/规格 ：QFN24 包装 ：托盘 最高工作电压：250 V 栅极驱动电压：5V~20V -
国硅集成G2063Q 250V 1.5A 三相高低侧功率栅极驱动芯片应用电机驱动2025-09-02 10:40
产品型号：G2063Q 品牌 ：国硅集成 型号 ：G2063Q 封装/规格： 贴片 包装 ：盒装 最小包装量 ：2500 -
国硅集成G2061Q 250V 1.5A 三相高低侧栅极驱动芯片应用空调洗衣机板2025-09-02 10:29
产品型号：G2061Q 型号 ：G2061Q 封装/规格 ：贴片 包装 ：托盘 最小包装量 ：2500 最高工作电压为 ：+250V