中科微电半导体文章

• 中科微电ZG2131：300V驱动芯片国产化替代的实战样本2025-10-17 09:47

  

  中科微电ZG2131的崛起，标志着国产驱动芯片从“可替代”向“优替代”的跨越。它不仅打破了进口芯片的市场垄断，更重塑了行业对国产芯片的认知——国产器件不再是“无奈之选”，而是“优化之选”。

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• 中科微电ZG6287A：高效能电子系统的“隐形调控中枢”2025-10-16 15:14

  

  尽管ZG6287A的完整参数尚未公开，但其承载的中科微电技术基因已勾勒出“高效、可靠、多场景适配”的产品画像。在电子系统对电能调控要求日益严苛的今天，这类高集成度、高稳定性的电源管理器件，将成为推动消费电子、工业控制、汽车电子等领域升级的核心力量。随着中科微电对产品技术的持续优化，ZG6287A有望在更多细分场景中实现突破，为国产功率半导体产业注入新动能。

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• 中科微电Mos管ZK30N100T：30V低压大电流领域的性能典范2025-10-16 14:56

  

  中科微电ZK30N100T以30V低压、90A大电流的精准参数组合，结合低损耗、高稳定、易集成的核心优势，在消费电子、工业控制、汽车电子等领域实现了广泛应用，不仅为终端设备提供了高效可靠的功率控制解决方案，更在低压大电流Mos管国产替代进程中发挥了重要作用。

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• 普诚PT5139：中低压电机驱动领域的“兼容型利器”2025-10-15 16:38

  

  随着中国工业自动化、消费电子市场的持续增长，对中低压电机驱动IC的需求将进一步扩大。普诚PT5139凭借技术适配性、场景灵活性与成本优势，正成为连接芯片技术与产业需求的重要纽带，为国产化驱动IC在细分市场的突破奠定基础。

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• 中科微电ZK100G200P：100V大电流MOS管的性能突破与场景革命2025-10-15 11:20

  

  在功率半导体国产化浪潮中，ZK100G200P凭借“性能对标进口、成本更具优势”的特点，成为打破国际品牌垄断的关键力量。其100V/205A参数组合、SGT工艺带来的高频低损耗特性。

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• 100V/245A大功率突破！中科微电ZK100G245TL SGT MOS管重塑工业电源效率2025-10-15 10:24

  

  这款产品的推出，标志着中科微电在中低压功率半导体领域实现技术赶超。其“低损耗+高可靠+高性价比”的组合，打破国外品牌在大功率MOS管市场的垄断，推动工业、能源等关键领域供应链自主可控。据行业数据，中科微电MOS管2024年工业领域渗透率已达12%，ZK100G245TL正成为光伏逆变器、工业电源厂商的“首选国产器件”。

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• 大功率场景的能效标杆：中科微电MOS管ZK100G325TL技术解析2025-10-14 17:00

  

  中科微电ZK100G325TL以SGT工艺突破损耗瓶颈，用TOLL封装破解体积与散热矛盾，通过100V/411A的参数组合精准切入工业驱动、新能源快充、储能等核心场景。这款器件不仅展现了中国功率半导体在先进工艺与封装技术上的突破能力，更以实际应用推动着大功率系统的能效升级。随着国产半导体技术的持续迭代，此类高性能MOS管将在更多场景实现进口替代，为“双碳”目

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• SGT工艺赋能的功率核心：中科微电MOS管ZK150G09P深度解析2025-10-14 16:53

  

  中科微电ZK150G09P以SGT工艺为核心，通过低损耗、高可靠、易集成的特性组合，为中大功率电子设备提供了高性能的国产解决方案。从工业电机的高效驱动到储能系统的安全防护，该器件不仅彰显了中国功率半导体在先进工艺领域的突破能力，更以实际应用推动着“双碳”目标下的能效升级。随着SGT工艺的进一步成熟，这类高性能MOS管将在更多场景实现国产替代，为电子产业的高质

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• 中科微电mos管ZK60N80T：一款高性能Trench MOSFET的技术解析与应用展望2025-10-13 17:55

  

  在电力电子领域，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）作为核心功率器件，其性能直接决定了各类电子设备的效率、可靠性与小型化水平。ZK60N80T 作为一款采用 Trench（沟槽）工艺的 N 沟道 MOSFET，凭借其精准的参数设计与卓越的性能表现，在工业控制、新能源、消费电子等领域展现出广阔的应用前景。

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• 普诚PT2432与PT2432C：同系列功率MOS管的场景适配与性能升级2025-10-11 14:52

  

  作为功率半导体领域的同系列产品，PT2432 与 PT2432C 虽共享核心技术架构，却在参数细节与场景适配性上形成互补，精准覆盖不同功率控制需求。

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