仁懋电子

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• 发布了文章 2025-05-10 12:06

  AI电源革命！仁懋氮化镓如何让400W服务器电源效率狂飙至98%

  

  AI算力的“能耗之痛”在AI训练集群中，单台服务器功耗已突破4kW，电源系统面临三重极限挑战：效率瓶颈：传统硅器件在高压PFC段效率仅95%，年损耗电量超10万度/千台；散热危机：电源模块温升＞40℃，被迫使用暴力扇散热，噪音高达55dB；体积桎梏：磁性元件体积占比超60%，制约机架密度提升。仁懋氮化镓（GaN）解决方案，以“高频高效、极寒运行”重构AI电源

  仁懋电子 服务器电源 氮化镓

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• 发布了文章 2025-05-06 17:24

  从型号看实力！仁懋GaN器件命名规则全解析

  

  型号背后的技术密码仁懋氮化镓（GaN）器件型号采用"三段式编码规则"，通过字母与数字组合精准传递技术参数。示例型号：MOTGE65R190Q1.前缀定位技术路线-GE：增强型（E-mode）氮化镓-GD：耗尽型（D-mode）氮化镓技术差异：E-mode器件无需负压关断，驱动电路更简化；D-mode需搭配驱动IC实现常闭特性。2.耐压等级标识-65：650V

  GaN器件 仁懋电子

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• 发布了文章 2025-04-25 10:32

  静音省电新标杆！仁懋MOS如何让家用风扇能效飙升?

  

  在智能家居普及的今天，消费者对家用风扇的要求早已超越基础送风功能，面临的问题如下能效焦虑：传统MOS导通损耗高，三级能效产品年耗电超50度，电费成本激增；噪音困扰：开关损耗导致的PWM啸叫，夜间运行噪音＞35dB；体积桎梏：笨重的电源模块侵占设计空间，阻碍超薄化、艺术化造型；可靠性危机：电压波动引发MOS雪崩失效，返修率高达12%。仁懋电子专为智能风扇打造的

  MOS 风扇

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• 发布了文章 2025-04-17 14:17

  告别烧MOS！仁懋大功率水泵电机控制选型指南

  

  在极端天气频发的当下，灌溉水泵已成为农田保收的生命线。然而，行业调研数据显示：27%的灌溉系统故障源于MOS管过热烧毁或浪涌击穿，传统器件在恶劣情况下暴露三大短板：高温降容：环境温度＞45℃时，MOS电流承载能力骤降40%；水汽腐蚀：湿度＞80%环境下，键合线锈蚀导致导通电阻（RDS(on)）年漂移超15%；外部影响：外部环境复杂，对器件抗震动要求高，容易引

  仁懋电子 灌溉系统 电机控制

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• 发布了文章 2025-04-10 09:45

  突破100lm/W的幕后英雄！揭秘高光效LED的电源心脏

  

  当LED光效突破100lm/W，全球照明产业迎来高光时刻。然而，支撑这束光芒的电源系统却暗流涌动——23%的LED灯具失效源于MOS管过热或电压击穿，在矿井、化工等极端场景，这一数字更飙升至58%。仁懋电子推出AC-DC专用MOS矩阵，以“超低损耗、极致安全”重塑LED电源可靠性标准。行业痛点：光效背后的电源危机热失控困局：传统MOS高热阻，影响50W灯具温

  led 电源

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• 发布了文章 2025-04-02 14:22

  仁懋MOS产品在电动叉车上的应用

  

  随着电动叉车向高效化、轻量化、长续航方向发展，功率半导体器件的选择对系统性能影响显著。仁懋TOLL封装的MOSFET凭借其低导通电阻（RDS(on)）、高功率密度、优异的热性能以及紧凑的封装尺寸，成为电动叉车电力电子系统的理想选择。仁懋电子深耕动力器件领域，推出MOT7130T4、MOT1113T4、MOT7136T等专用MOS产品，以“超低损耗、极致可靠”

  MOS 仁懋电子 电动叉车

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• 发布了文章 2025-03-21 17:35

  算力革命背后的隐形力量：仁懋MOSFET如何让服务器电源效率狂飙？

  

  算力时代的高压挑战随着AI大模型训练集群规模突破10万卡，单机柜功率密度已飙升至30kW，传统服务器电源的MOSFET面临极限考验——1%的效率差距意味着单数据中心年损耗超5000万度电。仁懋电子专为高压直流场景打造的MOT12N65T/MOT35N65T，以“高频高效、极寒散热”重新定义服务器电源MOS选型标准。技术破局：三重复合战力1.导通损耗碾压式领先

  MOSFET 仁懋电子 服务器电源

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• 发布了文章 2025-03-14 16:52

  吸尘器“心脏”革命！仁懋TOLL技术重塑吸尘器动力

  

  吸尘器动力系统的“高温围城”在无线吸尘器渗透率超60%的今天，电机驱动MOS过热降速却成为用户体验的致命伤——行业测试数据显示，80%的高端吸尘器在连续工作8分钟后触发MOS温控保护，吸力衰减超25%。传统封装器件在高速无刷电机场景下面临三重枷锁：-电流暴力冲击：电机启动瞬间电流超150A，键合线熔断风险激增；-散热空间困局：MOS占PCB面积超20%，制约

  MOS 仁懋电子 吸尘器

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• 发布了文章 2025-03-06 17:55

  MOS高温挑战终结者？仁懋三款MOS器件引爆主机能效革命

  

  高性能主机的“供电生死局”随着RTX40系显卡、13代酷睿处理器功耗突破600W，传统MOS器件正面临前所未有的极限挑战。某硬件论坛调研显示，27%的蓝屏/死机故障源于供电模块MOS过热或瞬态响应失效。在机箱空间紧缩与散热压力倍增的当下，以下难题尤为突出：-高温枷锁：MOS温升＞100℃触发降频，导致CPU/GPU性能折损高达15%；-瞬态响应危机：显卡瞬间

  MOS MOS器件 仁懋电子

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• 发布了文章 2025-02-28 15:44

  自研体二极管技术如何改写户储MOS游戏规则？

  

  户储行业痛点：PFC电路的“沉默杀手”在家庭储能系统普及率突破18%的今天，PFC（功率因数校正）电路MOS失效却成为行业隐形痛点——某第三方检测机构数据显示，32%的户储设备故障源于MOS温升超标或体二极管反向恢复失效。传统MOS器件在户用场景下面临双重暴击：*开关损耗困局：Qg与Coss失衡导致驱动延迟，20kHz工况下损耗激增40%；*体二极管“反杀”

  MOS PFC电路 二极管

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