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• 发布了产品 2022-08-01 16:29

  SGTP40V65FDR1P7 绝缘栅双极型晶体管耐压650V、40A

  

  产品型号：SGTP40V65FDR1P7 品牌：士兰微 型号：SGTP40V65FDR1P7 封装：TO-247-3L

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• 上传了资料 2022-08-01 16:18

  SGTP40V65SDB1P7 650V新能源IGBT

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• 发布了产品 2022-08-01 16:16

  40A、650V国产绝缘栅双极型晶体管SGTP40V65SDB1P7

  

  产品型号：SGTP40V65SDB1P7 品牌：士兰微 型号：SGTP40V65SDB1P7 封装：TO-247-2L

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• 上传了资料 2022-08-01 15:11

  30v耐压n沟道mos管SVG030R7NL5场效应管

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• 发布了产品 2022-08-01 15:09

  耐压30v mos管SVG030R7NL5小体积低成本

  

  产品型号：SVG030R7NL5 品牌：士兰微 型号：SVG030R7NL5 封装：PDFN-8-5*6

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• 上传了资料 2022-08-01 14:39

  耐压80V的小mos管SVG086R0NS N沟道场效应管

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• 发布了方案 2022-08-01 14:35

  30V/40V/60V/80V/100V/150V/200V 常用mos管选型方案

  

  MOS管有两种结构形式，即N沟道型和P沟道型，结构不一样，使用的电压极性也会不一样，选择到一款正确的MOS管，可以很好地控制生产制造成本，确保设备得到高效、稳定、持久的应用效果，充分发挥其“螺丝钉”的作用，30V-200Vmos管广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。30Vmos管常用型号：SVG030R7NL5封装PDFN56，导通内阻0.7mΩSVG031R1NL5封装PDFN56，

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• 发布了产品 2022-08-01 14:31

  80v 120a mos管SVG086R0NS N沟道增强型场效应管参数-选型

  

  产品型号：SVG086R0NS 品牌：士兰微 型号：SVG086R0NS 封装：TO-263-2L

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• 发布了方案 2022-07-30 16:06

  IR2110国产替代芯片ID7S625高压逆变器驱动芯片方案

  

  常见的MOS管驱动方式有非隔离的直接驱动、自举驱动，和有隔离的变压器驱动、光耦隔离驱动等，ir2110驱动芯片替代料ID7S625高压高低侧栅极驱动芯片是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率的MOSFET和IGBT栅极驱动器，广泛应用于DCDC转换器、功率MOSFET和IGBT驱动、DC/AC转换器等领域。ir2110替代芯片ID7S625特征■芯片工作电压范围10V~20V■输入逻辑兼容3.3

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• 发布了产品 2022-07-13 14:31

  SVSP24NF60FJDD2 24A,600V超级沟槽mos

  

  产品型号：SVSP24NF60FJDD2 品牌：士兰微 型号：SVSP24NF60FJDD2 封装：TO-220F

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