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深圳市骊微电子科技

芯朋微、士兰微、启臣微代理,免费试样,提供技术支持!

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动态

  • 发布了产品 2022-05-18 14:44

    60v低压mos管PDFN-8-5X6封装SVGP066R1NL5参数

    产品型号:SVGP066R1NL5 品牌:士兰微 型号:SVGP066R1NL5 耐压:60V
    57浏览量
  • 上传了资料 2022-05-18 14:36

  • 发布了产品 2022-05-18 14:31

    100v低压mos管SVG103R0NS关键参数 士兰微mos代理

    产品型号:SVG103R0NS 品牌:士兰微 型号:SVG103R0NS 耐压:100V
    28浏览量
  • 上传了资料 2022-05-17 14:23

  • 发布了产品 2022-05-17 14:17

    NCP1342替代料PN8213 65w氮化镓充电器芯片方案

    产品型号:NCP1342 品牌:芯朋微 型号:PN8213 封装:SSOP
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  • 发布了文章 2022-05-17 11:16

    NCP1342驱动氮化镓国产替代—PN8213

    自从小米发布了旗下第一款采用GaN技术的充电器,市场上便掀起了GaN“快充风”,目前国内市场上手机、笔记本、平板等电子产品的GaN快充产品的核心器件—GaN驱动IC,基本上都依赖进口,骊微电子推出NCP1342驱动氮化嫁国产替代芯片—PN8213,适用于65W氮化镓充电器芯片方案。NCP1342替代芯片PN8213特征■内置高压启动电路■供电电压9~57V,
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  • 发布了文章 2022-05-07 11:36

    NCP1342替代料PN8213 65W氮化镓pd充电器方案

    氮化镓快充已然成为了当下一个非常高频的词汇,在氮化镓快充市场迅速增长之际,65W这个功率段恰到好处的解决了大部分用户的使用痛点,从而率先成为了各大品牌的必争之地,ncp1342替代料PN8213氮化镓充电器主控芯片,适用于65w氮化镓充电器芯片方案。NCP1342替代料PN8213芯片特征■内置高压启动电路■供电电压9~57V,适合宽输出电压应用■Valle
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  • 发布了文章 2022-05-04 16:41

    30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5

    MOS管是电压控制电流器件,用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管和N沟道MOS管,SVG032R4NL5采用LVMOS工艺技术制造是100A、30VN沟道增强型场效应管,可兼容替代尼克森PKC26BB。PKC26BB替代料SVG032R4NL5特点■100A,30V,RDs(on)(典型值)=2.0mΩ@Vcs=10V■低栅极电荷■低反向传输
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  • 发布了文章 2022-04-28 15:07

    降压eup3270芯片4A输出QC3.0快充方案

    EUP3270是一款能够驱动4A连续负载并带有优良线性和负载调整率的的同步降压型变换器,故障保护包括电流限制,短路保护和热关断。内部软启动系统能够在芯片启动过程实现小的浪涌电流和输出过冲。降压eup3270芯片特点■4.5V到30V宽输入电压范围■80KHz到800KHz的的开关频率可调■CC/CV的模式控制■达到4A的输出电流■+/-1.5%电压基准精度■
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  • 上传了资料 2022-04-27 16:58

企业信息

认证信息: 深圳市骊微电子科技

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地址:宝安区西乡鹤洲恒丰工业城B11栋5楼东

公司介绍:深圳市骊微电子科技有限公司专注于电源方案设计开发,具有10年以上电源方案设计经验,优秀的技术团队。是芯朋微、士兰微、启臣微一级代理,产品主要覆盖5-100W以内各类电源产品,为客户提供高效能、低功耗、品质稳定的电源方案,同时提供一站式的应用解决方案和现场技术支持服务,使客户的系统性能优异、灵活可靠,并具有成本竞争力,公司一贯秉承“科技领先,诚信第一,品质超群”的经营理念,“服务第一、用户至上、高效优质,精益求精”是我们追求的目标。

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