上海雷卯电子

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• 发布了文章 2022-05-23 20:30

  中国电磁兼容EMC标准清单二

  

  基础标准材料术语和实验室GBT5465.2-2008电气设备用图形符号第2部分：图形符号GBT12190-2021电磁屏蔽室屏蔽效能的测量方法GBT17624.1-1998电磁兼容综述电磁兼容基本术语和定义的应用与解释GBT26667-2021电磁屏蔽材料术语GBT30142-2013平面型电磁屏蔽材料屏蔽效能测量方法GBZ17624.2-2013电磁兼容综

  emc

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• 发布了文章 2022-05-14 00:14

  NTC热敏电阻的应用

  

  点击关注，电磁兼容不迷路。NTC通常是由锰(Mn)、钴(Co)、镍(Ni)、铁(Fe)等两种或两种以上高纯度金属氧化物材料经混合、成型、烧结等工艺制成的接近理论密度（4.8g/cm3)结构的半导体电子陶瓷。NTC热敏电阻是一种随着温度的变化其电阻阻值呈相反趋势变化，且变化率极大的半导体电阻器。通常热敏电阻可用在温度检测、温度补偿、防浪涌等场合。NTC热敏电阻

  温度传感器 热敏电阻

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• 发布了文章 2022-05-12 00:14

  自恢复保险丝pptc 工作原理和选型

  

  自恢复保险丝pptc工作原理和选型技巧自恢复保险丝PTC是一种过流保护器件，具有过流自动断开，过流消失后自动恢复的特点。当电流到达动作电流Itrip值时，PTC阻值剧增相当于开关断开，从而后面的电路得到保护，过流消失后，自动恢复为低阻值，电路也恢复正常状态。PTC如SMD1206P100TF，25℃的工作环境下，工作电流1A，动作电流1.8A，但有客户使用时

  保险丝

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• 发布了文章 2022-05-10 00:14

  雷卯LC0542T5与ULC0542T对比,应用推荐

  

  点击关注，电磁兼容不迷路。LC0542T5与ULC0542T对比,应用推荐型号对比分析1.LC0542T5，小体积封装SOT-553，工作电压5V，VESD(contact)±14KV，电流4A，低电容0.7pF，三路单向，保护Vbus，用于USB2.0保护。可替代TI型号TPD2E001DRLR。2.ULC0542T，小体积封装DFN1610-6，工作电压

  器件

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• 发布了文章 2022-05-07 00:14

  USB3.0 HDMI专用的单芯8通道ESD应用

  

  USB3.0HDMI专用的单芯8通道ESD应用所有都在追求极致小体积，多通道保护的高速低容ESD，现在雷卯电子推出以下型号RCLAMP3328P9，可以满足您的需求。01ESD器件特色低峰值ESD箝位电压、低动态电阻和创新封装设计相结合，使该器件能够为USB3.0、HDMI和V-By-One接口LVDSMHLESATA等应用提供最高水平的ESD保护。02LA

  ESD

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• 发布了文章 2022-05-06 00:14

  24V直流电源浪涌保护方案

  

  24V直流电源浪涌保护方案方案优点：用于满足24V直流电源接口的浪涌保护，根据电源所处环境选择合适保护电流的TVS器件，满足IEC61000-4-2，等级4，接触放电8KV，空气放电15KV。如需满足IEC61000-4-5浪涌高等级测试需选用大功率SMC器件。要特别注意车用电子的直流24V和工业品的24v测试规范和要求完全不同，车用建议使用leiditec

  电源

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• 发布了文章 2022-05-04 00:14

  国产超低电容0.05pF ESD在天线的应用

  

  点击关注，电磁兼容不迷路。5G已来，需要更多天线5G天线有多少根?目前一部手机天线不少于11根，5G迫使手机端频段日益增多，天线的数量也将随之增加。手机天线端的ESD也被要求进步中。那么什么样的ESD器件适合天线端的防护呢?雷卯电子提醒有以下几点需要注意：为符合电子产品轻薄小巧、易于携带的需求，ESD保护组件的尺寸必须够小，例如0402封装尺寸，甚至0201

  电容

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• 发布了文章 2022-05-03 00:14

  MOSFET安全工作区域SOA

  

  了解MOSFET安全工作区域SOA如果您想知道或担心您的MOSFET在极端条件下或极端耗散情况下究竟能承受多少功率，那么您应该查看器件的SOA数据。在这篇文章中，我们将全面讨论MOSFET数据表中显示的安全工作区域区域SOA。SOA曲线图以下是MOSFET安全工作区域SOA图，通常在所有LEIDITECHMOSFET数据表中都可以看到。图中figure8MO

  MOSFET

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• 发布了文章 2022-05-01 00:14

  MOSFET基础电路不可不知

  

  MOSFET电路不可不知MOSFET已成为最常用的三端器件，给电子电路界带来了一场革命。没有MOSFET，现在集成电路的设计似乎是不可能的。它们非常小，制造过程非常简单。由于MOSFET的特性，模拟电路和数字电路都成功地实现了集成电路，MOSFET电路可以从大信号模型小信号模型两种方式进行分析。大信号模型是非线性的。它用于求解器件电流和电压的de值。小信号模

  电路图

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• 发布了文章 2022-04-30 00:15

  1.8V 2.5V 3.3V信号大行其道，如何设计选型ESD，看这篇就够了

  

  1.8V2.5V3.3V信号大行其道，如何设计选型ESD，看这篇就够了目前像自动驾驶、远程医疗、智慧城市等领域所涉及的电子设备的主要芯片(如DSP、CUP、MCU、ARM、DDR...)都会有多路低电压供电如1.8V、1.5V、1.15V、1.05V等等，然在ESD静电放电及瞬态电压抑制产品上业界主流低压仅到3.3V，若使用较高的击穿及钳位电压器件不能很好的

  ESD

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