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IR2104（S）半桥驱动器的详细中文资料免费下载

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上传日期： 2018-07-17

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标签：IR2104(4)半桥驱动器(8)IGBT(779)MOSFET(1151)

　　该Ir2104（S）是高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器与依赖高和低侧参考输出通道。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术使坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，降低到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲器级，用于最小驱动交叉导通。该浮动通道可用于驱动从10到600伏特的高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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