--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23封装
- 沟道 N—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 详细参数说明:
**型号:** RU602B-VB
**丝印:** VB1695
**品牌:** VBsemi
**封装:** SOT23
**参数:**
- 沟道类型:N—Channel
- 最大耐压:60V
- 额定电流:4A
- 导通电阻:RDS(ON)=85mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压:Vth=1~3V
### 应用简介:
RU602B-VB是VBsemi品牌推出的N—Channel沟道型MOSFET,采用紧凑的SOT23封装。具有60V的最大耐压,4A的额定电流,以及卓越的导通电阻(RDS(ON))性能。阈值电压(Vth)在1~3V范围内,适用于多种电路控制需求。
### 适用领域和模块举例:
1. **电源管理模块:** 由于器件具有较高的最大耐压和适度的额定电流,可用于电源管理模块,例如稳压器和开关电源,以提供可靠的电源输出。
2. **电机驱动模块:** 4A的额定电流使其适用于小型电机的驱动,例如电动工具、风扇和其他电动设备。
3. **LED照明控制:** 低导通电阻和N—Channel沟道特性使其成为LED照明控制模块的理想选择,以确保高效的能量转换。
4. **电池管理:** 在需要电池管理的应用中,例如便携式电子设备,RU602B-VB可用于设计电池充放电管理模块,以提高电池使用效率。
总体而言,RU602B-VB适用于多个领域,特别是在需要高效电源管理和小型封装的应用中,能够提供可靠的性能。
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