WINBOND/华邦 W9751G6NB-25 FBGA-84 DDR SDRAM存储器

1.概述W9751G6NB是一个512M位DDR2 SDRAM，组织为8388608个字 4个银行 16位。该设备可实现高达1066Mbps（DDR2-1066）的高速传输速率，适用于各种应用。W9751G6NB分为以下速度等级：-18、-25、-3、18I、25I、-3I、18J、25Jand-3J。-18、18I和18J级零件符合DDR2-1066（7-7-7）规范（保证支持-40°C≤TCASE≤95°C的18I工业级，保证支持-40℃≤TCASE≥105°C的18 J工业级）。-25、25I和25J级零件符合DDR2-800（5-5-5）或DDR2-800。-3、-3I和-3J级零件符合DDR2-667（5-5-5）规范（-3I工业级零件保证支持-40°C≤TCASE≤95°C，-3J工业级零件则保证支持-40℃≤TCASE≥105°C）。所有的控制和地址输入都与一对外部提供的差分锁同步。输入被锁存在差分时钟的交叉点（CLK上升和CLK下降）。所有I/O都以源同步方式与单端DQS或差分DQS-DQSpair同步。

2.特点 电源：VDD，VDDQ=1.8V±0.1V 双数据速率架构：每个时钟周期两次数据传输 CAS延迟：3、4、5、6和7 突发长度：4和8 双向差分数据选通（DQS和DQS）与数据一起发送/接收 边缘与读取数据对齐，中心与写入数据对齐 DLL将DQ和DQS转换与时钟对齐 差分时钟输入（CLK和CLK） 写入数据的数据掩码（DM） 在每个正CLK边缘、数据和数据掩码上输入的命令都参考DQS的两个边缘 PostedCAS支持可编程附加延迟，提高命令和数据总线效率 读取延迟=加性延迟加CAS延迟（RL=AL+CL） 片外驱动器阻抗调整（OCD）和片内端接（ODT），以获得更好的信号质量 读取和写入突发的自动预充电操作 自动刷新和自刷新模式 预充电断电和主动断电 写入数据掩码 写入延迟=读取延迟-1（WL=RL-1） 接口：SSTL_18 封装在VFBGA 84球（8x12.5 mm2，厚度1.0 mm）中，使用符合RoHS的无铅材料