--- 产品参数 ---
- 型号 W9812G6KH-6
- 数量 5580
- 封装 TSOP-54
- 品牌 WINBOND/华邦
- 批次 最新批次
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
1.概述W9812G6KH是一种高速同步动态随机存取存储器(SDRAM),组织为2M个字 4个银行 16位。W9812G6KH可提供高达每秒200M字的数据带宽。为了完全符合个人计算机工业标准,W9812G6KH分为以下速度等级:-5、-5I、-5J、-6、-6I、-6J和-75。-5/-5I级零件符合200MHz/CL3规范(-5I工业级保证支持-40°C≤TA≤85°C,-5J工业级保证支持-40°C<TA≤105°C)。-6/-6I级零件符合166MHz/CL3规范(保证支持-40°C≤TA≤85°C的-6I工业级零件,保证支持-40℃≤TA≤105°C的-6 J工业级零件)。-75级零件符合133MHz/CL3规范。对SDRAM的访问是面向突发的。当ACTIVE命令选择一个存储体和行时,可以以1、2、4、8或整页的突发长度访问一页中的连续存储器位置。列地址由SDRAM内部计数器在突发操作中自动生成。通过在每个时钟周期提供其地址,随机列读取也是可能的。多个银行的性质使得内部银行之间能够交错,以隐藏预充电时间。通过具有可编程模式寄存器,系统可以改变突发长度、延迟周期、交织或顺序突发,以最大限度地提高其性能。W9812G6KH是高性能应用程序中主存储器的理想选择。
2.特点 3.3V±0.3V电源 高达200 MHz的时钟频率 2097152字 4个银行 16位组织 自刷新模式 CAS延迟:2和3 突发长度:1、2、4、8和整页 突发读取、单次写入模式 字节数据由LDQM、UDQM控制 断电模式 自动预充电和受控预充电 4K刷新周期/64 mS,@-40°C≤TA≤85°C 4K刷新周期/16mS,@-40°C≤TA≤105°C 接口:LVTTL 封装在TSOP II 54引脚,400密耳,使用无铅材料,符合RoHS要求注:不支持TA>85°C的自刷新功能
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