1.概述W25N02KV（2G位）SLC QspiNAND闪存为空间、引脚和电源有限的系统提供了存储解决方案。W25N QspiNAND系列融合了流行的SPI接口和传统的大NAND非易失性存储器空间。它们非常适合将代码隐藏到RAM，直接从双/四SPI（XIP）执行代码，并存储语音、文本和数据。该设备使用2.7V至3.6V的单一电源供电，电流消耗低至25mA有源，10µa备用，1µa断电。所有W25N QspiNAND系列设备都采用节省空间的封装，这在过去是不可能用于典型的NAND闪存的。W25N02KV 2G位存储器阵列被组织成131072个可编程页，每个可编程页2048字节。使用来自2048字节内部缓冲器的数据，可以一次对整个页面进行编程。页面扫描以64为一组进行擦除（128KB块擦除）。W25N02KV具有2048个可擦除块。W25N02KV支持标准串行外围接口（SPI）、双/四路I/O SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O 0（DI）、I/O 1（DO）、I/O 2（/WP）和I/O 3（/HOLD）。当使用快速读取双/四I/O指令时，支持高达104MHz的SPI时钟频率，允许双I/O的等效时钟速率为208MHz（104MHz x 2），四I/O的等效频率为416MHz（104MHz x 4）。W25N02KV提供了一种新的顺序读取模式，允许通过单个读取命令有效访问整个存储器阵列。保持引脚、写入保护引脚和可编程写入保护，提供了进一步的控制灵活性。此外，该设备支持JEDEC标准制造商和设备ID、一个唯一ID页面、一个参数页面和十个2048字节OTP页面。为了提供更好的NAND闪存可管理性，W25N02KV中还提供了用户可配置的内部ECC。
2.特点 新的W25N系列QspiNAND存储器–W25N02KV:2G位/256M字节–标准SPI:CLK、/CS、DI、DO、/WP、/Hold–双SPI:CLK、/CS，IO0、IO1、/WP，/Hold–四路SPI:CLK，/CS、IO0、IO 1、IO2、IO3–兼容SPI串行闪存命令 最高性能串行NAND闪存–104MHz标准/双/四SPI时钟–208/416MHz等效双/四SPI–50MB/S顺序数据传输速率–快速编程/擦除性能–60000擦除/编程周期–10年数据保留 低功率，宽温度范围-单个2.7至3.6V电源-25mA有源，10µA备用，1µA DPD（3）--40°C至+85°C工作范围 具有128KB块的灵活架构–统一的128K字节块擦除–灵活的页面数据加载方法 高级功能–内存阵列的片上8位ECC–ECC状态位指示ECC结果–软件和硬件写保护–电源锁定和OTP保护–唯一ID和参数页（1）–10个2KB OTP页（2） 空间高效封装–8焊盘WSON 8x6 mm–24球TFBGA 8x6 mm-16引脚SOIC 300 mil–其他封装选项请联系Winbond注：1。详细信息请参见10.2.23和10.2.24。OTP页面只能编程。DPD代表深度断电
