1.概述W9864G6KH是一种高速同步动态随机存取存储器（SDRAM），组织为1M字 4个银行 16位。W9864G6KH提供高达每秒200M字的数据带宽。对于不同的应用，W9864G6KH可分为以下速度等级：-5、-6、-6I和-7。-5部分可以运行高达200MHz/CL3。-6和-6I部件最高可运行166MHz/CL3（-6I工业级，保证支持-40°C~85°C）。-7部分可以运行高达143MHz/CL3，tRP=18nS。对SDRAM的访问是面向突发的。当ACTIVE命令选择一个存储体和行时，可以以1、2、4、8或整页的突发长度访问一页中的连续存储器位置。列地址由SDRAM内部计数器在突发操作中自动生成。通过在每个时钟周期提供其地址，随机列读取也是可能的。多个存储体的性质使得内部存储体之间能够交错以隐藏预充电时间。通过具有可编程模式寄存器，该系统可以改变突发长度、延迟周期、交织器顺序突发，以最大限度地提高其性能。W9864G6KH是高性能应用程序中主存储器的理想选择。
2.特点 用于-5、-6和-6I速度等级电源的3.3V±0.3V 2.7V~3.6V，适用于-7速等级电源 1048576字 4个银行 16位组织 自刷新电流：标准和低功率 CAS延迟：2和3 突发长度：1、2、4、8和整页 顺序和交错突发 字节数据由LDQM、UDQM控制 自动预充电和受控预充电 突发读取，单次写入操作 4K刷新周期/64mS 接口：LVTTL TSOP II 54引脚400密耳封装，采用无铅材料，符合RoHS标准
