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深圳市宏源世纪科技有限公司

主要销售触摸芯片，DC-DC电源，微控制器单片机，存储器，MOS场效应管，LED驱动产品。

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WINBOND/华邦 W25Q80DVUXIE USON8 NOR FLASH存储器

存储器
型号： W25Q80DVUXIE

--- 产品参数 ---

  • 型号 W25Q80DVUXIE
  • 数量 5870
  • 封装 USON8
  • 品牌 WINBOND/华邦
  • 批次 最新批次

--- 数据手册 ---

W25Q80DVUXIE_规格书_WINBOND(华邦)NOR FLASH规格书.PDF

--- 产品详情 ---

1.概述W25Q80DV（8M位）串行闪存为空间、引脚和电源有限的系统提供了存储解决方案。25Q系列提供了远远超出普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合将代码隐藏到RAM，直接从双/四SPI（XIP）执行代码，并存储语音、文本和数据。该设备在单个2.7V至3.6V电源上运行，断电时电流消耗低至1µa。所有设备均采用节省空间的包装。W25Q80DV阵列被组织成4096个可编程页面，每个页面256字节。一次最多可编程256个字节扫描。页面可以按16个组（4KB扇区擦除）、128个组（32KB块擦除）、256个组（64KB块擦除）或整个芯片（芯片擦除）擦除。W25Q80DV分别具有256个可擦除扇区和16个可擦除块。小的4KB扇区允许在需要数据和参数存储的应用程序中实现更大的灵活性。

2.特点 SpiFlash存储器系列–W25Q80DV:8M位/1M字节（1048576）–每个可编程页面256字节–标准SPI:CLK、/CS、DI、DO、/WP、/Hold–双SPI:CLK、/CS，IO0、IO1、/WP和/Hold–四SPI：CLK、/CS、IO0、IOS1、IO2、IO3–统一4KB扇区、32KB和64KB块 最高性能串行闪存–104MHz双/四SPI时钟–208/416MHz等效双/四SPI–50MB/S连续数据传输速率 软件和硬件写入保护–写入保护全部或部分内存–启用/禁用带有/WP引脚的保护–顶部或底部阵列保护 具有4KB扇区的灵活体系结构–统一扇区/块擦除（4/32/64千字节）–编程1到256字节<0.8毫秒–擦除/编程挂起和恢复–超过100000个擦除/写入周期–超过20年的数据保留期 低功率、宽温度范围–单个2.7至3.6V电源–<1µA断电（典型）–-40°C至+85°C/105°C工作范围 高级安全和识别功能—软件和硬件写保护—顶部/底部

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