--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23封装
- 沟道 P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:BSH203-VB
丝印:VB2355
品牌:VBsemi
封装:SOT23
参数:
- 沟道类型:P—Channel
- 最大漏极电压:-30V
- 最大漏极电流:-5.6A
- 静态漏极-源极电阻:RDS(ON) = 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压:Vth = -1V
应用简介:
BSH203-VB是VBsemi品牌推出的P—Channel沟道类型SOT23封装场效应晶体管,具有卓越的性能和稳定性。以下是其详细参数说明和典型应用场景:
详细参数说明:
- 沟道类型:P—Channel,适用于负载开关和电源管理。
- 最大漏极电压:-30V,确保在一定电压范围内可靠工作。
- 最大漏极电流:-5.6A,适用于中等功率的电源管理需求。
- 静态漏极-源极电阻:RDS(ON) = 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V,低导通电阻确保高效的能量转换。
- 阈值电压:Vth = -1V,确保在适当的电压条件下工作。
应用领域:
1. 电源逆变器:适用于太阳能逆变器、电动车充电器等。
2. 电源开关:作为负载开关,用于电源管理电路中控制电流流动。
3. 电源管理模块:在需要高效、可靠电源管理的场合,如便携式电子设备、通信设备等。
BSH203-VB的卓越性能使其成为各种电源管理模块的理想选择,为不同领域的电子设备提供高性能的电源解决方案。
为你推荐
-
SY3400-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-04-10 14:41
产品型号:SY3400-VB 封装:SOT23封装 沟道:N—Channel -
SY2302-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-04-10 14:40
产品型号:SY2302-VB 封装:SOT23封装 沟道:N—Channel -
SY2302M-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-04-10 14:39
产品型号:SY2302M-VB 封装:SOT23封装 沟道:N—Channel -
SY2301-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-04-10 14:37
产品型号:SY2301-VB 封装:SOT23封装 沟道:P—Channel -
SY2301M-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-04-10 14:35
产品型号:SY2301M-VB 封装:SOT23封装 沟道:P—Channel -
SY2300-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-04-10 14:33
产品型号:SY2300-VB 封装:SOT23封装 沟道:N—Channel -
SUN3400-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-04-10 14:31
产品型号:SUN3400-VB 封装:SOT23封装 沟道:N—Channel -
STS6N20-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-04-10 14:28
产品型号:STS6N20-VB 封装:SOT23封装 沟道:N—Channel -
STS6308-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-04-10 14:26
产品型号:STS6308-VB 封装:SOT23封装 沟道:N—Channel -
STS4DPFS30L-VB一款2个P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-04-10 14:24
产品型号:STS4DPFS30L-VB 封装:SOP8封装 沟道:2个P—Channel