--- 产品参数 ---
- 沟道 P沟道
- 封装 TO252封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号: AM20P06-135D-T1-PF-VB
丝印: VBE2610N
品牌: VBsemi
封装: TO-252
沟道类型: P—Channel
最大电压(VDS): -60V
最大电流(ID): -38A
导通电阻(RDS(ON)): 61mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
门极阈值电压(Vth): -1.3V
**详细参数说明:**
1. **沟道类型:** P—Channel,表示这是一种P沟道MOSFET。
2. **最大电压(VDS):** -60V,指示器件可以承受的最大漏极-源极电压。
3. **最大电流(ID):** -38A,表明器件可以承受的最大漏极电流。
4. **导通电阻(RDS(ON)):** 61mΩ @ VGS=10V, VGS=20V,这是在不同门极电压下的导通状态时的漏极-源极电阻。
5. **门极阈值电压(Vth):** -1.3V,是使器件进入导通状态所需的最大门极电压。
**应用简介:**
AM20P06-135D-T1-PF-VB是一款P沟道场效应晶体管(MOSFET),通常用于功率开关和调节应用。其特点是适用于负电源电压的应用场景,例如需要负电源电压的DC-DC转换器。
**应用领域:**
1. **负电源电源开关:** 适用于需要负电源电压的电源开关电路,如负电源DC-DC转换器。
2. **电源逆变器:** 可用于电源逆变器中,将直流电源转换为交流电源。
3. **电动汽车系统:** 在电动汽车电子系统中的功率开关和逆变器控制单元。
4. **工业控制:** 适用于各种工业自动化和控制系统,特别是在负电源环境下。
**使用注意事项:**
1. **最大额定值:** 不要超过器件规格中指定的最大电流和电压值。
2. **散热:** 对于高功率应用,需要适当的散热,以确保器件在正常工作温度下运行。
3. **静电防护:** 在处理和安装器件时,请采取静电防护措施,以防止静电放电对器件造成损害。
4. **应用电路设计:** 在设计电路时,请参考厂家提供的数据手册和应用笔记,确保正确的电源和控制电路。
请注意,以上信息是基于提供的参数和一般经验提供的一般性建议。在实际应用中,请始终参考厂家提供的具体数据手册和应用指南。
为你推荐
-
STN3400A-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管2024-04-09 17:19
产品型号:STN3400A-VB 封装:SOT23封装 沟道:N—Channel -
STN3400AS-TRG-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管2024-04-09 17:18
产品型号:STN3400AS-TRG-VB 封装:SOT23封装 沟道:N—Channel -
STN2342-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管2024-04-09 17:16
产品型号:STN2342-VB 封装:SOT23封装 沟道:N—Channel -
STN2302-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管2024-04-09 17:08
产品型号:STN2302-VB 封装:SOT23封装 沟道:N—Channel -
STN2302S-TRG-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管2024-04-09 17:07
产品型号:STN2302S-TRG-VB 封装:SOT23封装 沟道:N—Channel -
STN2300-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管2024-04-09 17:03
产品型号:STN2300-VB 封装:SOT23封装 沟道:N—Channel -
STN2300S-TRG-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管2024-04-09 17:02
产品型号:STN2300S-TRG-VB 封装:SOT23封装 沟道:N—Channel -
STN2300AS-TRG-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管2024-04-09 17:01
产品型号:STN2300AS-TRG-VB 封装:SOT23封装 沟道:N—Channel -
STM8601-VB一款SOP8封装N+P—Channel场效应MOS管2024-04-09 16:59
产品型号:STM8601-VB 封装:SOP8封装 沟道:N+P—Channel -
STM8501-VB一款SOP8封装N+P—Channel场效应MOS管2024-04-09 16:58
产品型号:STM8501-VB 封装:SOP8封装 沟道:N+P—Channel