--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 TO252封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:QM4002AD-VB
丝印:VBE1410
品牌:VBsemi
参数:
- 封装类型:TO252
- 沟道类型:N—Channel
- 最大漏电压(Vds):40V
- 最大漏极电流(Id):50A
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):12mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth):1.78V
封装:TO252
应用简介:
QM4002AD-VB是一款N-Channel沟道MOSFET,适用于多种高功率电路和模块设计,特别是在需要高性能N-Channel MOSFET的应用中。
领域模块应用:
1. **电源模块:** 适用于开关电源、电源逆变器等高功率电源模块设计,能够提供高效的电能转换和稳定的电源输出。
2. **电机驱动模块:** 由于其高电流和低漏电压特性,可用于电机驱动和控制模块,提供可靠的电流输出和驱动性能,尤其在需要较高功率的应用中。
3. **电池保护模块:** 用于电池充放电管理电路,提供高效的电池管理和保护功能。
4. **高功率LED照明模块:** 在需要高亮度和高功率的LED照明系统中,QM4002AD-VB可以用于开关电源设计,以实现高效的LED照明。
5. **电流控制模块:** 适用于需要对电流进行精确控制的高功率模块,如电流源、电流放大器等。
请注意,以上是一些典型的高功率应用场景,实际使用时需根据具体电路和系统要求进行选择和设计。在集成QM4002AD-VB时,建议仔细阅读其数据手册以获取详细的电特性和操作信息。
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