--- 产品参数 ---
- 沟道 N+P沟道
- 封装 SOP8封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:SI4559EY-T1-E3-VB
丝印:VBA5638
品牌:VBsemi
参数:
- 沟道类型:N+P沟道
- 额定电压:±60V
- 最大连续电流:6.5A (N沟道) / -5A (P沟道)
- 静态导通电阻(RDS(ON)):28mΩ (N沟道) / 51mΩ (P沟道) @ 10V, 34mΩ (N沟道) / 60mΩ (P沟道) @ 4.5V
- 阈值电压(Vth):±1.9V
- 封装类型:SOP8
应用简介:
SI4559EY-T1-E3-VB是一款N+P沟道MOSFET,同时包含了N沟道和P沟道MOSFET,适用于各种电源开关和功率控制应用。以下是一些可能的应用领域:
1. 电源开关:这款N+P沟道MOSFET适用于电源开关,可以用于电源管理、逆变器、电源供应和稳压器等应用,以提供高效的电能控制和稳定的电压输出。
2. 电机控制:N+P沟道MOSFET可用于电机驱动,电机控制,以及需要同时进行正向和反向电流控制的应用,如双电源H桥驱动器。
3. 汽车电子:在汽车电子中,这种MOSFET可以用于车辆电源管理、电机驱动、电动汽车充电设备等应用,以提供正向和反向电流控制。
4. 高频开关电源:适用于高频开关电源和逆变器,如通信设备、太阳能逆变器、变频空调等领域,可以实现高效的电能
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