--- 产品参数 ---
- 沟道 P沟道
- 封装 SOP8封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号: IM4435G-VB
丝印: VBA2317
品牌: VBsemi
参数: P沟道, -30V, -7A, RDS(ON) 23mΩ @ 10V, 29mΩ @ 4.5V, 66mΩ @ 2.5V, 20Vgs (±V); -1.37Vth (V)
封装: SOP8
详细参数说明和应用简介:
1. 沟道类型:P沟道
- 这表示这是一种P沟道MOSFET,通常用于需要控制负电压电源的应用。
2. 额定电压 (VDS):-30V
- 这是沟道MOSFET能够承受的最大负电压,表示它适用于需要处理高达-30V的电压的电路。
3. 额定电流 (ID):-7A
- 这是沟道MOSFET的额定电流,表示它可以处理的最大负电流负载。
4. 静态漏极-源极电阻 (RDS(ON)):
- RDS(ON)是沟道MOSFET的导通状态下的电阻。在10V的情况下,它的电阻为23mΩ,而在4.5V的情况下为29mΩ,2.5V的情况下为66mΩ。这表明在导通状态下,它的电阻相对低,有助于减小功耗和热量。
5. 栅源电压额定值 (Vgs):20V (±V)
- 这表示栅源电压的额定范围为正负20V。栅源电压用来控制MOSFET的导通和截止状态。
6. 阈值电压 (Vth):-1.37V
- 这是沟道MOSFET的阈值电压,表示需要应用在栅极上的电压,以使器件开始导通。
应用简介:
这种型号的P沟道MOSFET通常用于各种电源管理和开关应用,包括但不限于以下领域和模块:
1. 电源开关:这种MOSFET可用于电源开关模块,例如DC-DC转换器,以实现高效的电能转换。
2. 电池管理:它可用于电池保护电路,以控制电池充放电和防止过放电。
3. 电源逆变器:在太阳能逆变器和UPS(不间断电源)中,P沟道MOSFET可用于控制电能的流向。
4. 电源选择和开关:它可以用于电源选择器和电源开关,以在不同电源之间切换。
总之,这种型号的P沟道MOSFET适用于多种领域的电子设备和模块,以满足功率开关和电源管理的需求,特别是需要处理负电压电源的应用。
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