--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 TO252封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号: FQD2N60C-VB
丝印: VBE165R02
品牌: VBsemi
参数:
- N沟道
- 额定电压:650V
- 最大电流:2A
- 开通电阻:4300mΩ @ 10V, 3440mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压:2V (Vth)
- 封装:TO252
应用简介:
FQD2N60C-VB是一款高压N沟道MOSFET器件,适用于多种高电压应用。这款器件可以在以下应用模块中发挥作用:
1. 电源开关模块: FQD2N60C-VB可用于高压电源开关、开关稳压器、逆变器等,以提供高效的电源管理和电源转换。
2. 照明驱动模块: 适用于高压LED驱动和照明系统,以实现高效的LED亮度控制和照明管理。
3. 高压开关模块: 用于高电压开关应用,如电磁继电器和高压开关电路。
4. 电源逆变器: 在太阳能逆变器和电动汽车充电器等高压逆变器中发挥作用。
FQD2N60C-VB由于其高电压承受能力,适用于需要高电压开关、电源管理和电源转换的领域,为系统提供高性能和高效能的电源解决方案。
为你推荐
-
SY3400-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-04-10 14:41
产品型号:SY3400-VB 封装:SOT23封装 沟道:N—Channel -
SY2302-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-04-10 14:40
产品型号:SY2302-VB 封装:SOT23封装 沟道:N—Channel -
SY2302M-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-04-10 14:39
产品型号:SY2302M-VB 封装:SOT23封装 沟道:N—Channel -
SY2301-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-04-10 14:37
产品型号:SY2301-VB 封装:SOT23封装 沟道:P—Channel -
SY2301M-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-04-10 14:35
产品型号:SY2301M-VB 封装:SOT23封装 沟道:P—Channel -
SY2300-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-04-10 14:33
产品型号:SY2300-VB 封装:SOT23封装 沟道:N—Channel -
SUN3400-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-04-10 14:31
产品型号:SUN3400-VB 封装:SOT23封装 沟道:N—Channel -
STS6N20-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-04-10 14:28
产品型号:STS6N20-VB 封装:SOT23封装 沟道:N—Channel -
STS6308-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-04-10 14:26
产品型号:STS6308-VB 封装:SOT23封装 沟道:N—Channel -
STS4DPFS30L-VB一款2个P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-04-10 14:24
产品型号:STS4DPFS30L-VB 封装:SOP8封装 沟道:2个P—Channel