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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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2SJ598-Z-E1-AZ-VB一款P沟道TO252封装MOSFET应用分析

型号: 2SJ598-Z-E1-AZ-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 沟道 P沟道
  • 封装 TO252封装

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

型号:2SJ598-Z-E1-AZ-VB
丝印:VBE2610N
品牌:VBsemi
参数:
- P沟道
- 最大耐压:-60V
- 最大漏电流:-38A
- 静态导通电阻(RDS(ON)):61mΩ @ 10V, 72mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压(Vth):-1.3V
- 封装:TO252

应用简介:
这款2SJ598-Z-E1-AZ-VB是一款P沟道场效应晶体管,适用于多种电子应用领域。其低导通电阻和耐压特性使其非常适合用于功率控制和开关电路。该器件在负责电源管理和功率放大的应用中表现出色。

领域模块应用:
1. 电源管理模块:2SJ598-Z-E1-AZ-VB可用于开关电源、稳压器等电源管理模块,以提供高效的电能控制。
2. 功率放大模块:它也可以用于放大信号的模块,如音频放大器,以增强音频信号的放大效果。
3. 开关电路:由于其P沟道特性,它适用于各种开关电路,如开关模式电源和电子开关。

这些特性和应用使2SJ598-Z-E1-AZ-VB在电子行业中具有广泛的用途。

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