--- 产品参数 ---
- 沟道 P沟道
- 封装 SOT23封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:SI2301CDS-T1-GE3-VB
丝印:VB2290
品牌:VBsemi
参数说明:
- MOSFET类型:P沟道
- 额定电压:-20V
- 最大电流:-4A
- 导通电阻(RDS(ON)):57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V, 12Vgs
- 阈值电压(Vth):-0.81V
- 封装:SOT23
应用简介:
SI2301CDS-T1-GE3-VB是一款P沟道MOSFET,适用于多种电子设备和电路中,特别适用于需要功率开关和负载开关的应用。
**应用领域和模块说明:**
1. **电源开关模块**:
- 由于其P沟道MOSFET的特性,SI2301CDS-T1-GE3-VB适用于电源开关模块,可用于功率开关和电源管理。
- 在便携式电子设备、电池管理系统、充电器和适配器中用于实现高效的电能转换和管理。
2. **负载开关模块**:
- 该MOSFET的低导通电阻和高电流承受能力使其成为负载开关模块的理想选择。
- 在LED照明、电机控制、工业自动化等领域中用于高效的负载开关控制。
3. **电池保护模块**:
- SI2301CDS-T1-GE3-VB可用于电池保护模块,用于控制和保护锂电池等电池的充电和放电。
- 在便携式电子设备、电池组装设备、电动工具中用于保护电池免受过充和过放的损害。
4. **电机驱动模块**:
- 该MOSFET可用于电机驱动模块,提供电机控制和驱动。
- 在电动工具、电动汽车电机控制、工业电机控制等领域中用于提高电机的性能和效率。
总结,SI2301CDS-T1-GE3-VB是一款P沟道MOSFET,具有广泛的应用领域,包括电源开关、负载开关、电池保护和电机驱动等多个领域的模块。其特性使其成为各种电子设备和系统中的关键组成部分,有助于提高效率、可靠性和功率管理能力。
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