--- 产品参数 ---
- 沟道 P沟道
- 封装 TO252封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:FDD4685-VB
丝印:VBE2412
品牌:VBsemi
参数:
- 沟道类型:P沟道
- 最大耐压:-40V
- 最大持续电流:-65A
- 开通电阻(RDS(ON)):10mΩ @ 10Vgs
- 阈值电压(Vth):-1.6V
- 封装类型:TO252
应用简介:
FDD4685-VB是一款高性能的P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有高电流承受能力和低开通电阻,适用于多种高功率电子应用。以下是它的一些主要应用领域:
1. 电源开关模块:FDD4685-VB的高电流承受能力和低开通电阻使其非常适合用于电源开关模块,例如开关稳压器、电源适配器和直流-直流变换器,以提供高效率和稳定的电源输出。
2. 电机驱动:这款MOSFET可以用于电机驱动电路,如工业电机控制、电动汽车电机驱动和电动工具,以实现高功率的电机运行。
3. 电源逆变器:在需要高电压逆变的应用中,例如太阳能逆变器和电动汽车逆变器,这款MOSFET可以用于电源逆变电路,将直流电转换为交流电。
4. 高电流电源开关:由于其高电流承受能力,FDD4685-VB也可用于高电流电源开关,用于控制电路的通断状态。
总之,FDD4685-VB是一款高性能的P沟道MOSFET,适用于各种高功率电子应用,特别是需要高电流承受能力、低电阻和高耐压的领域。它在电源开关模块、电机驱动、电源逆变器和高电流电源开关等模块中都有广泛的用途。
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