--- 产品参数 ---
- 沟道类型 P沟道
- 额定电压 -30V
- 额定电流 -5.2A
- 导通电阻 33mΩ @ 10V, 40mΩ @ 4.5V
- 门源极电压范围 ±20V
- 阈值电压 1~3V
- 封装类型 TSSOP8
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号 SI6913DQ-T1-GE3-VB
丝印 VBC6P3033
品牌 VBsemi
参数
沟道类型 P沟道
额定电压 -30V
额定电流 -5.2A
导通电阻 33mΩ @ 10V, 40mΩ @ 4.5V
门源极电压范围 ±20V
阈值电压 1~3V
封装类型 TSSOP8
应用简介
SI6913DQ-T1-GE3-VB是一款P沟道功率MOSFET,适用于各种电路模块中的功率开关和电路控制应用。由于其低导通电阻和低阈值电压,使其特别适用于需要在低电压和高电流条件下工作的应用。
具体应用领域模块如下
1. 电源模块 SI6913DQ-T1-GE3-VB可以用作电源模块中的功率开关,用于控制电源的开关和调节功率的大小。
2. 电动工具模块 在电动工具中,SI6913DQ-T1-GE3-VB可以用作电机驱动器,控制电动工具的功率输出和运行状态。
3. LED照明模块 SI6913DQ-T1-GE3-VB可以用作LED照明模块中的开关器,控制LED的亮度和开关。
4. 电动车辆模块 在电动车辆中,SI6913DQ-T1-GE3-VB可以用作电机驱动器,控制电动车辆的动力输出和控制。
5. 手持设备模块 在手持设备中,SI6913DQ-T1-GE3-VB可以用作电源管理模块,控制电池的供电和功耗管理。
总之,SI6913DQ-T1-GE3-VB适用于各种需要功率开关和电路控制的应用中,特别适用于低电压和高电流条件下的模块。
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