描述
TLC6C598-Q1是一款单芯片、中压、低电流、8位移位寄存器，设计用于要求相对中等负载功率的系统，如led。该器件包含一个8位串行输入并行输出移位寄存器，该寄存器为一个8位D型存储寄存器提供数据。数据分别在移位寄存器时钟(SRCK)和寄存器时钟(RCK)的上升沿通过移位寄存器和存储寄存器传输。当移位寄存器清零(CLR)为高电平时，存储寄存器将数据传输到输出缓冲器。CLR为低电平时，器件中的所有寄存器清零。保持输出使能(G)为高电平，输出缓冲器中的所有数据保持低电平，所有漏极输出关闭。保持G低电平可使存储寄存器中的数据对输出缓冲器透明。当输出缓冲器中的数据为低电平时，DMOS晶体管输出关闭。当数据为高电平时，DMOS晶体管输出具有吸电流能力。串行输出(SER OUT)在SRCK的下降沿从器件输出，为级联应用提供额外的保持时间。这为时钟信号可能偏斜、器件位置不靠近或系统必须耐受电磁干扰的应用提供了更高的性能。该器件内置热关断保护。输出为低端开漏DMOS晶体管，当Vcc = 5 V时，输出额定值为40 V，具有50 mA连续吸电流能力，限流随着结温的升高而降低，以提供额外的器件保护。使用人体模型测试时，该器件还提供高达2000 V的ESD保护；使用机器模型测试时，该器件提供高达200 V的ESD保护。TLC6C598-Q1特性适用于40°C至125°C的工作环境温度范围
TLC6C598-Q1是一款单芯片、中压、低电流、8位移位寄存器，设计用于要求相对中等负载功率的系统，如led。该器件包含一个8位串行输入并行输出移位寄存器，该寄存器为一个8位D型存储寄存器提供数据。数据分别在移位寄存器时钟(SRCK)和寄存器时钟(RCK)的上升沿通过移位寄存器和存储寄存器传输。当移位寄存器清零(CLR)为高电平时，存储寄存器将数据传输到输出缓冲器。CLR为低电平时，器件中的所有寄存器清零。保持输出使能(G)为高电平，输出缓冲器中的所有数据保持低电平，所有漏极输出关闭。保持G低电平可使存储寄存器中的数据对输出缓冲器透明。当输出缓冲器中的数据为低电平时，DMOS晶体管输出关闭。当数据为高电平时，DMOS晶体管输出具有吸电流能力。串行输出(SER OUT)在SRCK的下降沿从器件输出，为级联应用提供额外的保持时间。这为时钟信号可能偏斜、器件位置不靠近或系统必须耐受电磁干扰的应用提供了更高的性能。该器件内置热关断保护。输出为低端开漏DMOS晶体管，当Vcc = 5 V时，输出额定值为40 V，具有50 mA连续吸电流能力，限流随着结温的升高而降低，以提供额外的器件保护。使用人体模型测试时，该器件还提供高达2000 V的ESD保护；使用机器模型测试时，该器件提供高达200 V的ESD保护。TLC6C598-Q1特性适用于40°C至125°C的工作环境温度范围
特性
符合汽车应用要求
AEC-Q100符合以下结果:
设备温度等级1:–40°C至125°C环境工作温度范围
器件HBM ESD分类等级H2
设备CDM ESD分类等级C3B
3 V至5.5 V的宽Vcc
输出最大额定值为. 40 V
8路功率DMOS晶体管输出，50毫安连续电流，VCC = 5伏
热关断保护
多级增强级联
所有寄存器通过单输入清零
低功耗
缓慢的开关时间(tr和tf)，有助于显著降低EMI
16引脚TSSOP-PW封装
16引脚SOIC D封装
