STM32H725ZGT6，ST/意法半导体，Arm®Cortex®-M7 32位550 MHz MCU，最高1 MB闪存，
564 KB，RAM、以太网、USB、3个FD-CAN、图形、2个16位ADC
STM32H725ZGT6，V 18664341585,ST/意法半导体，Arm®Cortex®-M7 32位550 MHz MCU，最高1 MB闪存，
564 KB，RAM、以太网、USB、3个FD-CAN、图形、2个16位ADC
STM32H725xE/G设备基于高性能Arm®Cortex®-M7 32位
RISC核心，工作频率高达550 MHz。Cortex®-M7核心采用浮点单元
（FPU），支持Arm®双精度（符合IEEE 754标准）和单精度
数据处理指令和数据类型。Cortex-M7内核包含32 KB的
指令高速缓存和32K字节的数据高速缓存。STM32H725xE/G设备支持全套
DSP指令和存储器保护单元（MPU），以增强应用程序的安全性。
STM32H725xE/G设备包含高达1M字节的高速嵌入式存储器
闪存，最高564 KB的RAM（包括可共享的192 KB
在ITCM和AXI之间，加上64K字节专用ITCM，加上128K字节专用AXI，
128 KB DTCM、48 KB AHB和4 KB备份RAM），以及大量
连接到APB总线、AHB总线、2x32位的一系列增强型I/O和外围设备
多AHB总线矩阵和多层AXI互连
•高级外围设备，包括
–灵活的存储器控制（FMC）接口
–两个Octo SPI内存接口
–用于CMOS传感器的摄像头接口
–LCD-TFT显示控制器
有关外围设备列表，请参阅表2:STM32H725xE/G功能和外围设备计数
每个零件号上都有。
为了降低功耗，STM32H2725xE/G包括可选的降压
转换器，可用于内部或外部电源，或两者兼而有之。
STM32H2725xE/G设备在–40至+125°C的环境温度范围内运行
1.62至3.6 V电源。通过使用
外部电源监控器（见第3.7.2节：电源监控器），并连接
PDR_ON引脚至VSS。否则，电源电压必须保持在1.71 V以上
嵌入式电源电压检测器启用。
USB专用电源输入可供选择，提供更多电源。
一套全面的节能模式允许设计低功耗应用程序
高达1兆字节的嵌入式闪存
电子控制
•SRAM：总共564 KB，全部带有ECC，包括
128 KB的数据TCM RAM，用于关键实时
数据+432 KB的系统RAM（最多
256 KB可以在指令TCM上重新映射
关键实时指令的RAM）+
4 KB的备份SRAM（可在
最低功率模式）
•具有高达
24位数据总线：SRAM、PSRAM、，
SDRAM/LPSDR SDRAM，NOR/NAND
回忆
•2个带XiP的Octo SPI接口
•2个SD/SDIO/MMC接口
•引导程序
图样
•Chrom ART Accelerator图形硬件
加速功能增强的图形用户
减少CPU负载的接口
•支持高达XGA的LCD-TFT控制器
决议
时钟、复位和电源管理
•1.62 V至3.6 V应用电源和I/O
•POR、PDR、PVD和BOR
•专用USB电源
•嵌入式DCDC和LDO调节器
（*）VFQFPN68变体仅限DCDC
•内部振荡器：64 MHz HSI，48 MHz
HSI48、4 MHz CSI、32 kHz LSI
•外部振荡器
