1200 V、21 mΩ、100 A、第 3 代裸片 SiC MOSFET
Wolfspeed 提供一系列 1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET，这些器件针对高功率应用进行了优化，例如不间断电源 (UPS)、电机驱动器、开关模式电源、太阳能和储能系统、电动汽车充电、高压 DC/DC 转换器等。
Wolfspeed 的 1200 V 碳化硅 MOSFET 基于最新的第三代技术，包括一系列导通电阻和封装选项，使设计人员能够为其应用选择正确的部件。1200V MOSFET 专为超低 RDS(ON) 和更高的 CGS/CGD 比率而设计，以提高硬开关性能。软开关应用还可以受益于更线性的 COSS 行为。
Wolfspeed 的 1200 V SiC 二极管与 SiC MOSFET 相结合，可在要求严格的应用中实现更高效率的强大组合。从硅基解决方案转向碳化硅所获得的效率有助于降低大多数高功率应用中的系统尺寸、重量、设计复杂性和成本。
一系列顶部和背面金属化选项和芯片布局为模块设计者提供了选择组装工艺和模块布局的灵活性。
特征
- 高阻断电压和业界领先的低 RDS(on) 温度稳定性
- 具有低反向恢复电荷 (Qrr) 的快速本征二极管
- 具有低输出电容的高速开关
- 整个温度范围内的传导损耗较低
- 雪崩坚固性
好处
- 提高系统效率并降低开关损耗
- 减小系统尺寸；重量; 和冷却要求
- 增加功率密度
- 易于并联并与标准栅极驱动设计兼容
应用领域
- 固态断路器
- 可再生能源逆变器
- 高压DC/DC转换器
- 开关电源
- 不间断电源 (UPS)
- 高性能焊接电源
- 高压系统的辅助电源
MOSFET CPM3-0650-0015A
CPM3-0650-0045A
CPM3-0650-0060A
EPM3-0750-0010D
CPM3-0900-0010A
CPM3-0900-0030A
CPM3-0900-0065A
EPM3-1200-R013D
CPM3-1200-0013A
EPM3-1200-0014D1
EPM3-1200-R015D
CPM3-1200-0016A
EPM3-1200-0017D1-R01
EPM3-1200-0017D-R01
CPM3-1200-0021A
CPM2-1200-0025A
CPM3-1200-0032A
CPM2-1200-0040A
CPM3-1200-0075A
CPM2-1200-0080A
CPM3-1200-0160A
CPM3-1700-R020E
CPM3-3300-R050A
