900 V、30 mΩ、66 A、第 3 代裸片 SiC MOSFET
Wolfspeed 通过引入最先进的 SiC MOSFET 技术（业界首个 900 V MOSFET 平台）扩大了其在碳化硅 (SiC) 技术领域的领先地位。全新 900 V 平台针对高频电力电子应用（包括可再生能源逆变器、电动汽车充电系统和三相工业电源）进行了优化，可实现更小、更轻、效率更高的下一代电力转换系统，且成本与硅相当基于的解决方案。
特征
- 整个工作温度范围内 Vbr 最低为 900V
- 高阻断电压和低 RDS(on)
- 具有低反向恢复电荷 (Qrr) 的快速本征二极管
- 具有低输出电容的高速开关
好处
- 高电压；高温；耐高湿性，可实现真正的户外太阳能转换和非车载充电应用
- 提高系统效率并显着降低开关损耗
- 减小系统尺寸；重量; 和冷却要求
- 提高功率密度
- 易于并联并与标准栅极驱动设计兼容
应用领域
- 太阳能逆变器
- 电机驱动
- 高压DC/DC转换器
- 开关模式电源
- 固态断路器
- 车外充电器
CPM3-0650-0015A
CPM3-0650-0045A
CPM3-0650-0060A
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