描述
BL6N120，硅N沟道增强MOSFET，由先进的MOSFET获得降低传导损耗的技术，提高开关性能并增强雪崩能量。晶体管适合用于开关电源、高速开关和通用应用程序。
特点
♦ 快速切换
♦ 低Crss
♦ 100%雪崩测试
♦ 改进的DV/dt能力
♦ RoHS产品
应用
♦ 高频开关模式电源
可提供详细规格资料，技术支持，样品测试，可通过上方链接咨询我们！
--- 产品参数 ---
- 封装： TO-220
- 整管： 50PCS
--- 产品详情 ---
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