ABT16373A是16位透明D型锁存器，具有3态输出，专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。它们特别适合实现缓冲寄存器、I/O端口、双向总线驱动器和工作寄存器。
这些器件可以用作两个8位锁存器或一个16位锁存器。当锁存使能(le)输入为高电平时，Q输出跟随数据(D)输入。当LE变为低电平时，Q输出锁定在D输入端设置的电平。
缓冲输出使能(OE\)输入可用于将8路输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下，输出既不加载也不驱动总线线路。高阻抗状态和增强的驱动提供了驱动总线线路的能力，而无需接口或上拉元件。
OE\不影响闩锁的内部操作。当输出处于高阻态时，可以保留旧数据或输入新数据。
当V抄送介于0和2.1 V之间，器件在上电或关断期间处于高阻态。然而，为了确保2.1 V以上的高阻态，OE\应连接到V抄送通过上拉电阻；电阻值的最小值由驱动器的吸电流能力决定。
SN54ABT16373A的额定工作温度范围为-55°C至125°C整个军用温度范围，SN74ABT16373A的额定工作温度范围为-40°C至85°C。
- 根据JEDEC标准JESD-17，闩锁性能超过500 mA
- 典型VOLP(输出接地反弹)< 0.8V(V时)抄送= 5伏，温度A= 25摄氏度
- 上电和掉电期间的高阻抗状态
- 分布式V抄送GND引脚配置将高速开关噪声降至最低
- 流通式架构优化PCB布局
- 高驱动输出(-32毫安I俄亥俄州，64-mA I开环（同Open Loop）)
- 封装选项包括300密耳塑料收缩小外形(DL)和薄收缩小外形(DGG)封装，以及采用25密耳中心间距的380密耳细间距陶瓷扁平(WD)封装
频道数量16技术
电源电压(最小)(V)4.5电源
电压(最大值)(V)5.5
输入类型TTL兼容CMOS
输出类型三态
时钟频率(最大)(MHz)150
IOL(最大)(毫安)64
IOH(最大值)(毫安)-32
电源电流(最大)(A)89000
特征直通引脚排列、部分掉电(Ioff)、上电3态、超高速(tpd 5-10ns)
工作温度范围(°C)-55至125
SNJ54ABT16373AWD
5962-9320001QXA
5962-9322701QSA
5962-9214802QSA
