Features 特征
1与ZBTTM兼容并在功能上等效的
支持具有零等待状态的250 mhz总线操作。
口可用速度等级分别为250、200和167 mhz。
内部自定时输出缓冲区控制，消除了这一需求。
使用异步OE
管道操作的完全注册(输入和输出)
字节写入能力
单2.5V电源
2.5伏10电源(美国之音)
快速时钟输出时间
口3.0ns(用于250 MHz器件)
时钟启用(CEN)引脚挂起操作
同步自定时写入
CY7C1470BV25可用于JEDEC标准无铅100针
口可用速度等级分别为250、200和167 mhz。
内部自定时输出缓冲区控制，消除了这一需求。
使用异步OE
管道操作的完全注册(输入和输出)
字节写入能力
单2.5V电源
2.5伏10电源(美国之音)
快速时钟输出时间
口3.0ns(用于250 MHz器件)
时钟启用(CEN)引脚挂起操作
同步自定时写入
CY7C1470BV25可用于JEDEC标准无铅100针
功能描述:
2 M×36/4 M×18同步流水线突发SRAM
分别设计了总线LatencyT“(NoBLM)逻辑。
支持无限的真实背对背读写操作。
没有等待状态。CY7C1470BV25和CY7C1472BV25
都配备了所需的高级逻辑，以便启用
传输数据的连续读或写操作
在每一个时钟周期。此特性极大地改进了
需要频繁读或写的系统中的数据吞吐量
过渡。CY7C1470BV25和CY7C1472BV25是
引脚兼容，功能等效于ZBT器件.
所有同步输入都通过由
时钟上升的边缘。ALI数据输出通过输出
由上升边缘控制的寄存器。时间的一部分。钟
输入由时钟启用(CEN)信号限定，当
停止操作并扩展前一个时钟。
循环。写操作由Byte写选择程序控制。
CY7C1472BV25)和一个写启用(We)输入。所有的书写都是
与片上同步自定时写入电路一起进行。
三片同步芯片启用_(CE1，CE2)。(CE3)和
异步输出启用(OE)提供简单的银行
选择和输出三状态控制。为了避免总线争用，
输出驱动程序在数据期间同步地三次声明
