S25FS128SDSNFI100，MirrorBit®闪存非易失性存储器 1.8 V带CMOS I/O的单电源 具有多I/O的串行外围接口
S25FS128SDSNFI100，MirrorBit®闪存非易失性存储器 1.8 V带CMOS I/O的单电源 具有多I/O的串行外围接口
特征
密集
–128 Mbits（16 Mbytes）
–256 Mbits（32 Mbytes）
串行外围接口（SPI）
–SPI时钟极性和相位模式0和3
–双倍数据速率（DDR）选项
–扩展寻址：24位或32位地址选项
–串行命令子集和封装与S25FL-A兼容，
S25FL-K、S25FL-P和S25FL-S SPI系列
–多I/O命令子集和封装与S25FL-P兼容，
和S25FL-S SPI系列
阅读
–命令：正常、快速、双I/O、四I/O、DDR四I/O
–模式：突发包裹、连续（XIP）、QPI
–串行闪存可发现参数（SFDP）和通用闪存
接口（CFI），用于配置信息
程序
–256或512字节页面编程缓冲区
–程序暂停和恢复
擦除
–混合行业选项
–八个4千字节扇区和一个32千字节扇区的物理集合
地址空间的顶部或底部以及
64千字节
–统一扇区选项
–统一64 kbyte或256 kbyte块，以实现软件兼容性
具有更高的密度和未来的设备
–擦除挂起并恢复
–擦除状态评估
–任何扇区上至少100000个程序擦除周期
–20年数据保留，典型
安全功能
–1024字节的一次性程序（OTP）阵列
–块保护：
–状态寄存器位，用于控制对程序或
擦除连续的扇区范围
–硬件和软件控制选项
–高级行业保护（ASP）
–由引导代码或密码控制的单个扇区保护
–读取访问的密码控制选项
技术
–跨度65 nm MirrorBit技术与Eclipse™ 建筑学
电源电压
–1.7V至2.0V
温度范围
–工业（0°C至+85°C）
–汽车（-40°C至+105°C）
包装（所有无铅）
–8导联SOIC 208 mil（SOC008）-仅限FS128S
–WSON 6x5 mm（WND008）-仅限FS128S
–WSON 6x8 mm（WNH008）-仅限FS256S
–16引线SOIC 300 mil（仅限SO3016-FS256S）
–BGA-24 6x8毫米
–5x5球（FAB024）占地面积
–4x6球（FAC024）占地面积
