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TI栅极驱动器UCC5871-Q1

--- 产品详情 ---

具有高级保护功能的汽车类 30A 隔离式 5.7kV VRMS IGBT/SiC MOSFET 栅极驱动器
Number of channels (#) 1
Isolation rating (Vrms) 5700
Power switch IGBT, SiCFET
Peak output current (A) 30
DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 8000
DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 1500
Output VCC/VDD (Max) (V) 30
Output VCC/VDD (Min) (V) 15
Input VCC (Min) (V) 3.3
Input VCC (Max) (V) 5
Prop delay (ns) 150
Operating temperature range (C) -40 to 125
Undervoltage lockout (Typ) Programmable
  • 分离输出驱动器,以提供峰值为 30A 的拉电流和峰值为 30A 的灌电流
  • 栅极驱动强度动态可调
  • 具有 150ns(最大值)传播延迟和可编程最小脉冲抑制的互锁和击穿保护
  • 支持初级侧和次级侧主动短路 (ASC)
  • 可配置功率晶体管保护
    • 基于 DESAT 的短路保护
    • 基于分流电阻器的过流和短路保护
    • 基于 NTC 的过热保护
    • 在功率晶体管发生故障时提供可编程软关断 (STO) 和两级关断 (2LTOFF) 保护
  • 符合功能安全标准
    • 专为功能安全应用开发
    • 提供可使 ISO 26262 系统设计达到 ASIL D 等级的文档
  • 集成型诊断:
    • 针对保护比较器的内置自检 (BIST)
    • IN+ 至晶体管栅极路径完整性
    • 功率晶体管阈值监测
    • 内部时钟监测
    • 故障警报 (nFLT1) 和警告 (nFLT2) 输出
  • 集成式 4A 有源米勒钳位或可选的米勒钳位晶体管外部驱动器
  • 高级高压钳位控制
  • 内部和外部电源欠压和过压保护
  • 有源输出下拉特性,在低电源或输入悬空的情况下默认输出低电平
  • 提供内核温度检测和过热保护
  • 在 VCM = 1000V 时,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100 kV/μs
  • 可通过 SPI 对器件进行重新配置、验证、监控和诊断
  • 用于功率晶体管温度、电压、电流监测的集成式 10 位 ADC
  • 安全相关认证:
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5700VRMS 隔离(计划)
    • 符合 VDE0884-11 标准的 8kV 增强型隔离(计划)

UCC5871-Q1 器件是一款高度可配置的隔离式单通道栅极驱动器,在电动汽车/混合动力汽车应用中用于驱动高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。该器件提供功率晶体管保护,例如基于分流电阻器的过流保护、基于 NTC 的过热保护以及 DESAT 检测,还在这些故障期间提供可选的软关断或两级关断。为了进一步缩小应用尺寸, UCC5871-Q1 集成了在开关期间可用的 4A 有源米勒钳位,以及在驱动器未通电时可用的有源栅极下拉电阻。集成的 10 位 ADC 可用于监控多达六个模拟输入以及栅极驱动器温度,从而增强系统管理。集成的诊断和检测功能可简化符合 ASIL-D 标准的系统的设计。这些功能的参数和阈值可使用 SPI 接口进行配置,因此该器件几乎可与任何 SiC MOSFET 或 IGBT 一同使用。

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