具有自动检测和插槽专用双路 LDO 的双电源 2:1 SIM 卡多路复用器/转换器
| Technology Family | TXS |
| Applications | SIM Card |
| Rating | Catalog |
| Operating temperature range (C) | -40 to 85 |
- 电平转换器
- VDDIO 范围介于 1.7V 至 3.3V 之间
- 低压降 (LDO) 稳压器
- 带有使能的 50mA LDO 稳压器
- 1.8V 至 2.95V 可选输出电压
- 2.3V 至 5.5V 输入电压范围
- 极低压降：电流为 50mA 时为 100mV（最大值）
- 通过配有基带处理器的 I2C 接口实现控制和通信
- 静电放电 (ESD) 保护性能超过 JESD 22 规范要求
- 2500V 人体模型 (A114-B)
- VSIM1，SIM1CLK，SIM1I/O，SIM1RST，VSIM2，SIM2CLK，SIM2I/O，SIM2RST 上的 6000V 人体模型 (A114-B)
- 1000V 充电器件模型 (C101)
- 封装
- 24 引脚四方扁平无引线封装 (QFN) (4mm x 4mm)
TXS02326A 是一款完全双电源待机智能身份模块 (SIM) 卡解决方案，此解决方案用于将无线基带处理器与两个单独的 SIM 用户卡接口相连，以存储移动手机应用程序的数据。 它是一个用于将一个单一 SIM/UICC 接口拓展成为支持两个 SIM/UICC 接口的定制器件。
该器件不但符合 ISO/IEC 智能卡接口要求，而且还支持 GSM 与 3G 移动标准。 它包括一个能够支持 B 类 (2.95V) 和 C 类 (1.8V) 接口的高速电平转换器；两个具有可在 2.95V B 类和 1.8V C 类接口之间选择输出电压的低压降 (LDO) 稳压器；一个用于配置的集成型 “快速模式” 400kb/s “从” I2C 控制寄存器接口；和一个用于内部定时生成的 32kHz 时钟输入。 为了对两个 SIM 卡安全断电，TXS02326A 还包括一个关断输入和一个可检测电池组取出的比较器输入。 关断输入和比较器输入装有两个由一个 8 位计数器实现的可编程防反跳计数器（即电池拆除关断保护引脚 (BSI) 输入和备用 SIM 卡热交换引脚 (SDN) 输入）电路。
电压电平转换器具有两个电源电压引脚。 VDDIO 设定针对基带接口的基准并可在 1.7V 至 3.3V 的电压下运行。 VSIM1 和 VSIM2 的电压可被设定为 1.8V 或者 2.95V，均由一个独立内部 LDO 稳压器供电。 集成型 LDO 可接受 2.3V 至 5.5V 的输入电池电压，并向 B 侧电路及外部 B 类或 C 类 SIM 卡输出高达 50mA 的电流。
