航天级低噪声精密高级 LinCMOS? 单路运算放大器
| Number of channels (#) | 1 |
| Total supply voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10) | 16 |
| Total supply voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) | 4.6 |
| Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV) | 0.2 |
| GBW (Typ) (MHz) | 1.8 |
| Slew rate (Typ) (V/us) | 2.5 |
| Rail-to-rail | In to V-, Out |
| Offset drift (Typ) (uV/C) | 0.5 |
| Iq per channel (Typ) (mA) | 1 |
| Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz) | 8 |
| CMRR (Typ) (dB) | 110 |
| Rating | Space |
| Operating temperature range (C) | -55 to 125 |
| Input bias current (Max) (pA) | 60 |
| Output current (Typ) (mA) | 4.5 |
| Architecture | CMOS |
- 符合 QML-V 标准要求的 SMD5962-9088203V2A
- 低输入失调电压： 400μV （最大值）
- 在整个温度范围内提供了出色的失调电压稳定性： 0.05μV/℃ （典型值）
- 轨至轨输出摆幅
- 低输入偏置电流： 在 TA = 25℃ 时的典型值为 1pA
- 共模输入电压范围包括负电源轨
- 技术规格针对单电源及分离电源操作全面拟订
LinCMOS is a trademark of Texas Instruments.
TLC2201 是一款精密、低噪声运算放大器，运用了 TI 先进的 LinCMOS 制造工艺。 该器件将极低噪声 JFET 放大器的噪声性能与以往仅双极型放大器可提供的直流 (dc) 精度完美地组合在了一起。 Advanced LinCMOS工艺采用硅栅技术来获得远远超过采用金属栅技术所能获得的随温度和时间变化的输入失调电压稳定性。 此外，这项工艺技术还可实现达到或超过顶栅 JFET 和昂贵的介质隔离器件所提供的输入阻抗位准 (impedance level)。
由于兼具卓越的直流和噪声性能以及一个包括负电源轨的共模输入范围，因而使得这些器件非常适合于单电源或分离电源配置中的高阻抗、低电平信号调节应用。
器件输入和输出专为承受－100mA 的浪涌电流而设计，而不会发生持续闭锁的现象。 此外，依据 MIL-PRF-38535、Method 3015.2 所进行的测试还证实：该器件的内部 ESD 保护电路可防止在高达 2000V 的电压条件下出现功能故障；不过，在使用这些器件时应谨慎从事，因为遭受 ESD 有可能导致参数性能的下降。
TLC2201 针对完整军用温度范围内 （－40℃ 至 125℃ ）的运作进行了特性分析。
