CNW82、CNW83、CNW84和CNW85光耦合器由GaAs红外发射二极管组成，该二极管与NPN光电晶体管光学耦合。CNW82和CNW84没有连接基脚以提高抗扰度。
功能特征
1、 宽体DIL封装，引脚距离为10.16 mm。
2、 2最小爬电距离10 mm。
3、 高电流传输比和低饱和电压，使该器件适用于TTL集成电路。
4、 高度交流和直流绝缘（5900 V（RMS）和8340 V（DC））。
5、 最小外部间隙为9.6 mm，最小外部爬电距离为10 mm。
6、 集电极-发射极击穿电压：50 V（仅CNW82/83）。
7、 UL认可（文件号E90700）
